[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 

半导体衬底； 

多个单位MISFET元件，形成于所述半导体衬底的主面的第一MISFET形成区域，相互并联连接而构成功率MISFET； 

控制电路，形成于所述半导体衬底的所述主面的第一控制电路形成区域，控制所述功率MISFET的栅极电压；以及 

布线结构，具有形成于所述半导体衬底上的、由同种金属材料构成的多个布线层， 

形成于所述第一MISFET形成区域上的所述多个单位MISFET元件的栅极电极彼此之间经由分别形成于所述多个布线层的所有布线层上的栅极布线而相互电连接。 

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于， 

所述多个布线层中的最上层的布线层的布线厚度大于所述多个布线层中的除所述最上层的布线层以外的布线层的布线厚度。 

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于， 

在所述最上层的布线层上形成的所述栅极布线，作为从所述控制电路向形成于所述第一MISFET形成区域的多个所述栅极电极的至少一部分导电的导电路径而发挥作用。 

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于， 

所述多个布线层分别是铝布线层。 

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于， 

在所述多个布线层中的任一布线层上形成的所述栅极布线与所述控制电路连接。 

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于， 

形成于所述第一MISFET形成区域的所述多个单位MISFET元件的源极区域彼此之间经由在所述多个布线层的所有布线层分别形成的源极布线而相互电连接， 

形成于所述第一MISFET形成区域的所述多个单位MISFET元件的漏极区域彼此之间经由在所述多个布线层的所有布线层分别形成的漏极布线而相互电连接。 

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于， 

在所述最上层的布线层，在所述源极布线与所述漏极布线之间配置有所述栅极布线。 

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于， 

还包括用作外部端子的源极用凸点电极和漏极用凸点电极， 

所述源极用凸点电极经由在所述多个布线层的各布线层形成的所述源极布线而与所述多个单位MISFET元件的所述源极区域电连接， 

所述漏极用凸点电极经由在所述多个布线层的各布线层形成的所述漏极布线而与所述多个单位MISFET元件的所述漏极区域电连接。 

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于， 

所述布线结构具有位于所述最上层的布线层的上层、且由与所述多个布线层不同种类的金属材料构成的异种布线层， 

所述源极用凸点电极形成在形成于所述异种布线层的源极用异种布线上，经由所述源极用异种布线而与在所述多个布线层中的所述最上层的布线层上形成的所述源极布线电连接， 

所述漏极用凸点电极形成在形成于所述异种布线层的漏极用异种布线上，经由所述漏极用异种布线而与在所述多个布线层中的所述最上层的布线层形成的所述漏极布线电连接。 

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于， 

所述异种布线层是铜布线层。 

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于， 

所述源极用凸点电极在俯视下与形成在所述最上层的布线层的、与所述源极用凸点电极不同电位的布线重叠。 

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于， 

所述漏极用凸点电极在俯视下与形成在所述最上层的布线层的、与所述漏极用凸点电极不同电位的布线重叠。 

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于， 

对于所述源极用异种布线与形成在所述最上层的布线层的所述源极布线的连接区域，所述源极用凸点电极在俯视下不与该连接区域重叠， 

对于所述漏极用异种布线与形成在所述最上层的布线层的所述源极布线的连接区域，所述漏极用凸点电极在俯视下不与该连接区域重叠。