[实用新型]一种用于认知无线电光控可重构超宽带陷波天线

权利要求书

1.一种用于认知无线电光控可重构超宽带陷波天线，其特征在于，包括FR4介质基板、天线辐射单元、对称梯形地板、共面波导馈电线及弯曲对称槽，上述各个部分均位于所述FR4介质基板的同一侧，所述天线辐射单元包括U形单极子天线，所述U形单极子天线与共面波导馈电线连接，所述共面波导馈电线位于对称梯形地板的中间位置，所述弯曲对称槽位于U形单极子天线的内部，所述弯曲对称槽、U形单极子天线与对称梯形地板关于共面波导馈电线对称。

2.根据权利要求1所述的陷波天线，其特征在于，所述弯曲对称槽包括第一段矩形槽、两个第二段矩形槽、两个第三段矩形槽、两个第四段矩形槽及两个第五段矩形槽，所述第一、第二、第三、第四及第五段矩形槽依次连接，所述两个第二段、第三段、第四段及第五段矩形槽关于第一段矩形槽对称，所述第一段矩形槽安装在U形单极子天线的底部，所述第一、第二、第三、第四及第五段矩形槽的宽度相等，其长度总和等于自由空间频率2.9GHz的四分之一个波长。

3.根据权利要求2所述的陷波天线，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四及第五段矩形槽的宽度为1mm，所述第一段矩形槽的长度为3.8mm，第二段矩形槽的长度6.32mm，第三段矩形槽的长度5.4mm，第四段矩形槽的长度3mm，第五段矩形槽的长度7mm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的陷波天线，其特征在于，还包括光控硅开关，具体为5个，分别为第一、第二、第三、第四及第五光控硅开关，所述第一光控硅开关及第二光控硅开关关于共面波导馈电线对称，安装在第四段矩形槽的中间位置，第三光控硅开关及第四光控硅开关关于共面波导馈电线对称，安装在第二段矩形槽与第三段矩形槽的连接处，所述第五光控硅开关安装在第一段矩形槽的中间位置。

5.根据权利要求1所述的陷波天线，其特征在于，所述U形单极子天线由矩形贴片及椭圆形贴片构成。

6.根据权利要求5所述的陷波天线，其特征在于，所述椭圆形贴片长轴2倍是20mm，短轴长度的2倍是17mm，所述矩形贴片长为20mm，宽为5mm。

7.根据权利要求4所述的陷波天线，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四及第五光控硅开关具体为具有内光电效应的半导体硅，尺寸为1×1×0.4mm³。