[实用新型]基于LTE模块的SIM卡热插拔电路及移动终端有效
| 申请号： | 201420488840.2 | 申请日： | 2014-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN204119225U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 谢平 | 申请（专利权）人： | 深圳市共进电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H04B1/40 | 分类号： | H04B1/40 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区南海大道1019号南山医疗器械产业园B11*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 lte 模块 sim 卡热插拔 电路 移动 终端 | ||
1.一种基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，包括：
LTE模块；
SIM卡座，与所述LTE模块总线连接，具有第一端口，所述SIM卡座有SIM卡插入和无SIM卡插入时，该第一端口分别表现为高电平和低电平；
电源模块，与所述LTE模块连接，为所述LTE模块供电；
检测端口，接所述SIM卡座的第一端口；以及
控制端口，接所述电源模块的使能引脚，与所述检测端口状态关联，输出控制电平使所述电源模块开或关。
2.根据权利要求1所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，还包括开关模块，所述开关模块包括第一三极管、第一电阻和第二电阻，所述第一三极管为PNP型三极管，所述第一三极管的基极接所述检测端口，集电极接地，发射极接所述控制端口，通过所述第一电阻接电源，并通过所述第二电阻接地。
3.根据权利要求1所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，还包括开关模块，所述开关模块包括第二三极管、第三电阻和第四电阻，所述第二三极管为PNP型三极管，所述第二三极管的基极接所述检测端口，集电极接地，发射极通过所述第四电阻接所述控制端口，所述控制端口还通过所述第三电阻接电源。
4.根据权利要求1所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，还包括具有两个以上I/O口的ARM主控芯片，其中一个I/O口接所述检测端口，另一个I/O口接所述控制端口。
5.根据权利要求4所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述ARM主控芯片的型号为BCM4708。
6.根据权利要求1至5任一项所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述电源模块为DC-DC开关电源。
7.根据权利要求6所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述DC-DC开关电源的型号为SY8120B。
8.根据权利要求1至5任一项所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述LTE模块为高通3G/4G上行解决方案。
9.根据权利要求8所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路，其特征在于，所述高通3G/4G上行解决方案的型号为LUA20。
10.一种移动终端，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的基于LTE模块的SIM卡热插拔电路。
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