[实用新型]临界场强保护系统中的电流检测电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种临界场强保护系统中的电流检测电路，属于射频识别中电流检测设计领域。

背景技术

在射频识别中，由于卡片大都是无源的，所以卡片电路的设计就相当关键和重要。在射频识别中，不同型号的读卡机发出来场强有大有小，而且卡片耦合到的能量也是随着距离增加而变小的，因此卡片在实际工作中一定会遇到很多临界场强的工作环境。虽然在芯片里设置了下电报警，各个模块也会有相应的报警电路，但是整个芯片在工作时仍然会遇到非常复杂的情况。例如在临界场强下，由于数字电路大功耗指令的启动，就会波及到电源电压甚至波及到天线载波，此时就可能会导致误解调或者导致其他电路模块的瞬间失效；而一旦遇到这种情况，就非常容易增加芯片交易数据错误的风险。如果有电流检测模块，就能让卡片工作在能量相对充裕的环境中，这样就能增加芯片的安全性和可靠性。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种临界场强保护系统中的电流检测电路，能够提高芯片工作的可靠性和安全性。

为解决上述技术问题，本实用新型的临界场强保护系统中的电流检测电路，包括：

一稳压电路，由第一电流源，第一电阻，第二电阻，一运算放大器和第一NMOS晶体管组成；第一电流源的一端作为电源电压端VDD，第一电阻与第二电阻串联连接在电源电压端VDD与地之间，其连接的节点设为A；所述运算放大器的正相输入端与A点相连接，反相输入端输入参考电压VREF，运算放大器的输出端与第一NMOS晶体管的栅极相连接，其连接的节点设为B；第一NMOS晶体管为电流泄放管，其漏极与电源电压端VDD相连接，其源极接地；

一电流检测模块，由第三电流源，第四电流源，第二NMOS晶体管和一反相器组成；第三电流源和第四电流源的一端与电源电压端VDD相连接，第三电流源的另一端与第一开关的一端相连接，第四电流源的另一端与第二开关的一端相连接；第一开关和第二开关的另一端与第二NMOS晶体管的漏极和所述反相器的输入端相连接；第二NMOS晶体管的栅极与所述B点相连接，其源极接地；所述反相器的输出端为电流检测电路的输出端；流过第二NMOS晶体管的电流与第三电流源和/或第四电流源比较，最后由反相器将比较结果输出；

一负载电流及储能电容，所述负载电流为其他电路所消耗的总电流；第一电容连接在电源电压端VDD与地之间，作为电源电压上的储能电容。

本实用新型主要是用于检测临界场强下泄流管中的电流，并根据对比结果，如果电流充裕就让系统继续工作，如果电流不充裕(临界值)就给控制模块发报警信号，提示系统此时不要进行重要的数据操作以避免出错；进一步提高芯片工作的可靠性和安全性。

本实用新型适用于高频射频识别卡片中。

附图说明

下面结合附图与具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明：

附图是所述临界场强保护系统中的电流检测电路一实施例电路图。

具体实施方式

结合附图所示，所述临界场强保护系统中的电流检测电路包括稳压电路，电流检测模块以及负载电流和储能电容。稳压电路主要由电流源I1，电阻R1，电阻R2，一运算放大器YF1和NMOS晶体管M1组成。电流源I1假设是卡片耦合到的总电流，电阻R1和R2是分压电阻，给运算放大器YF1提供分压后的输入电压。最终分压电阻，运放YF1和NMOS晶体管M1构成了稳压电路，将电源电压稳定在所需要的电压值上，NMOS晶体管M1为电流泄放管。

电流检测模块，主要由电流源I3，电流源I4，NMOS晶体管M2和一反相器NOT1组成。电流源I3和I4可以由镜像电路产生，在电路中这两个电流值都会设置在微安级别上。流过NMOS晶体管M2的电流和电流源I3或者电流源I4比较，最后由反相器NOT1将比较结果输出。

负载电流及储能电容模块，负载电流I5指其他电路所消耗的总电流，电容C1是VDD电源上的储能电容。