[实用新型]一种采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器有效

专利信息
申请号: 201420505763.7 申请日: 2014-09-03
公开(公告)号: CN204289663U 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 章秀银;徐金旭;郭庆毅;叶晓锋;赵小兰 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01P1/203 分类号: H01P1/203
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍
地址: 511400 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 采用 频率 选择性 耦合 抑制 基波 毫米波 滤波器
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种毫米波带通滤波器,特别是涉及一种抑制基波的,尺寸较大的,可用PCB制版技术实现的采用频率选择性耦合来抑制基波的毫米波滤波器。

背景技术

随着毫米波工程的发展,毫米波的应用正在向着更高频段发展,同时也遇到了新的问题,如更高的频率意味着更小的电路尺寸,使得电路加工难度大,制造成本高。因此对成本较低的,尺寸较大的,易于加工的毫米波滤波器有着较为迫切的需求。

目前许多研究者已经将许多种技术用于毫米波带通滤波器的设计,其中有几种典型的方法。第一种方法是采用具有多层结构和高制造精度的低温共烧陶瓷技术(LTCC)设计毫米波带通滤波器,如S. W. Wong, Z. N. Chen, and Q. X. Chu, (2012), ‘Microstrip-line millimeter-wave bandpass filter using interdigital coupled-line’, Electron Lett., 48, pp. 224-225.。第二种方法是采用COMS(bulk complementary  metal  oxide  semiconductor)设计毫米波带通滤波器,如使用慢波结构的B. Yang, E. Skafidas, and R. J. Evans, (2012), ‘Slow-wave slot microstrip transmission line and bandpass filter for compact millimeter-wave integrated circuits on bulk complementary metal oxide semiconductor’, IET Microw. Antennas Propag., 6, pp. 1548-1555.和H. -R. Lin, C. -Y. Hsu, H. -R. Chuang, and C. -Y. Chen, (2012), ‘A 77-GHz miniaturized slow-wave SIR bandpass filter fabricated using 0.18-um standard CMOS technology’, Microwave Opt Technol Lett., 54, pp. 1063–1066。以及使用阶跃阻抗谐振器的S. -C. Chang, Y. -M. Chen, S. -F. Chang, Y. -H. Jeng, C. -L. Wei, C. -H. Huang, and C. -P. Jeng, (2010), ‘Compact millimeter-wave CMOS bandpass filters using grounded pedestal stepped-impedance technique’, IEEE Trans Microw Theory Tech., 58, pp. 3850-3858。第三种方法是采用介质集成波导技术(SIW)、集成无源器件技术(IPD)设计毫米波带通滤波器,如C. Y. Hsiao, S. S. H. Hsu, and D. C. Chang, (2011), ‘A compact V-band bandpass filter in IPD technology’, IEEE Microw Wireless Compon. Lett., 21, pp. 531-533.以及X. P. Chen, and K. Wu, (2012) ‘Self-packaged millimeter-wave substrate integrated waveguide filter with asymmetric frequency response’, IEEE Trans Compon Package Manufact Tech., 2, pp. 775-782。本实用新型采用的PCB制版技术可实现的平面微带线结构。

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