[实用新型]一体式集成Ka频段超导限幅低噪声放大器组件有效
| 申请号： | 201420507972.5 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN204119170U | 公开（公告）日： | 2015-01-21 |
| 发明（设计）人： | 宾峰;贺俊霞;陈荣飞;王自力;汪名峰;丁晓杰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十六研究所 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所 34115 | 代理人： | 宋倩;奚华保 |
| 地址： | 230043 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 体式 集成 ka 频段 超导 限幅 低噪声放大器 组件 | ||
1.一体式集成Ka频段超导限幅低噪声放大器组件，其特征在于：包括输入、输出端口均为波导端口的腔体以及固定在腔体内依次连接的输入波导-微带过渡、超导限幅芯片、低温限幅器、级间匹配电路、Ka频段低温低噪声放大器和输出波导-微带过渡，所述腔体的输入端口与输入波导-微带过渡的输入端口通过空间耦合方式连接，所述腔体的输出端口与输出波导-微带过渡的输出端口通过空间耦合方式连接。
2.根据权利要求1所述的一体式集成Ka频段超导限幅低噪声放大器组件，其特征在于：所述输入波导-微带过渡、超导限幅芯片、低温限幅器、级间匹配电路、Ka频段低温低噪声放大器和输出波导-微带过渡依次通过金丝连接。
3.根据权利要求1所述的一体式集成Ka频段超导限幅低噪声放大器组件，其特征在于：所述输入波导-微带过渡、超导限幅芯片、低温限幅器、级间匹配电路、Ka频段低温低噪声放大器和输出波导-微带过渡的输入、输出端口均在同一中心线上，并且各端口之间的缝隙均在5mil以内。
4.根据权利要求1所述的一体式集成Ka频段超导限幅低噪声放大器组件，其特征在于：所述输入波导-微带过渡、级间匹配电路和输出波导-微带过渡均采用厚度为0.127mm的基片，并通过厚度为0.1mm的焊锡片焊接在腔体内。
5.根据权利要求1所述的一体式集成Ka频段超导限幅低噪声放大器组件，其特征在于：所述超导限幅芯片采用厚度为0.5mm的基片，并通过厚度为0.1mm的铟片焊接在腔体内。
6.根据权利要求1所述的一体式集成Ka频段超导限幅低噪声放大器组件，其特征在于：所述低温限幅器和Ka频段低温低噪声放大器均通过导电胶黏贴在腔体内。
7.根据权利要求1所述的一体式集成Ka频段超导限幅低噪声放大器组件，其特征在于：所述超导限幅芯片采用高温超导薄膜材料，所述低温限幅器和Ka频段低温低噪声放大器均采用砷化镓材料。
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