[实用新型]一种碳硫复合正极和二次铝电池

权利要求书

1.一种碳硫复合正极，包括碳纳米管阵列、单质硫和石墨烯，其特征在于，所述碳纳米管阵列垂直生长于导电基底上；所述单质硫通过热熔扩散方式均匀负载于碳纳米管阵列表面及纳米孔径中，形成碳纳米管阵列/硫复合材料；所述石墨烯均匀包覆在碳纳米管阵列/硫复合材料表面。

2.如权利要求1所述的碳硫复合正极，其特征在于，所述碳纳米管阵列，碳纳米管的管径为1~50nm，管长1~2000nm，管间距2~100nm。

3.如权利要求1所述的碳硫复合正极，其特征在于，所述导电基底材料包括碳纤维、石墨、玻态碳、钛、镍、不锈钢、铁、铜、锌、铅、锰、镉、金、银、铂、钽、钨、导电塑料、导电橡胶或高掺杂硅中的任意一种。

4.如权利要求1所述的碳硫复合正极，其特征在于，所述石墨烯为片层结构，且包覆的石墨烯小于10片层。

5.一种二次铝电池，包括：

(a) 权利要求1中所述的复合正极；

(b) 含铝负极活性材料；

(c) 非水含铝电解液。