[实用新型]一种通信用滤波器

说明书

技术领域

    本实用新型涉及滤波器，具体是一种通信用滤波器。

背景技术

随着无线通信领域的迅猛发展，特别是手持设备的迅猛发展，射频集成电路对低体积，高集成度，低功耗的要求越来越高。对于发射机而言，采用直接调制压控振荡器的结构无疑是手持设备的首选，因为其具有功能模块数量少，功耗低的优势，但是直接发射机需要在锁相环开环的情况下来发射数据，这就要求锁相环环路滤波器能够在锁相环开环的时候将环路电压维持一段时间以满足数据发射的要求。

传统的滤波器通过大电容来达到维持环路电压的目的，在锁相环锁定阶段开关关闭；当锁相环锁定到需要的频率后，开关打开，通过开关后的大电容来达到维持发射数据所需电压，但是电容无法在片上集成，只能使用片外电容，而这将大大降低芯片的集成度，且会增加成本。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种对线性度的调节，工作稳定，稳定环路电压，提高了芯片的集成度的通信用滤波器，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种通信用滤波器，包括传输门S1、传输门S2、传输门S3、功率放大器A1和主滤波电路；其中，传输门S1、传输门S2、传输门S3均为CMOS传输门，传输门S1由一个NMOS晶体管M4和一个PMOS晶体管M3通过源漏互连的方式构成，NMOS晶体管M4的衬底与地GND相连，NMOS晶体管M4的栅与SP相连，PMOS晶体管M3的衬底与电源VDD相连，PMOS晶体管M3的栅与SN相连；传输门S2由一个NMOS晶体管M6和一个PMOS晶体管M5通过源漏互连的方式构成，NMOS晶体管M6的衬底与VL端口相连，，NMOS晶体管M6的栅与SP相连，PMOS晶体管M5的衬底与VH端口相连，PMOS晶体管M5的栅与SN相连；传输门S3由一个NMOS晶体管M8和一个PMOS晶体管M7通过源漏互连的方式构成，NMOS晶体管M8的衬底与地GND相连，NMOS晶体管M8的栅与SP相连，PMOS晶体管M7的衬底与电源VDD相连，PMOS晶体管M7的栅与SN相连；传输门S1的右端分别与传输门S2的左端、传输门S3的右端相连，传输门S1的左端与ICP端口相连；传输门S2的右端同时连接功率检测器A的一端、电容C0的一端和单位增益放大器A2的一端；所述传输门S3的左端与VFD端口相连；功率放大器A1的输入端与电容C0的另一端相连，且功率放大器A1与电容C0之间的接线点还连接二极管D的正极，二极管D的负极接地；功率检测器A的另一端依次通过开关管M9、扼流电感L连接功率放大器A1的输入端；功率放大器A1的输出端同时连接电阻R1的一端、电阻R2的一端；电阻R1的另一端连接PMOS晶体管M1，电阻R2的另一端连接PMOS晶体管M2，其中，PMOS晶体管M1的衬底与源及电源VDD相连，PMOS晶体管M1的栅与VBIAS相连，PMOS晶体管M1的漏与VH端口相连，NMOS晶体管M2的衬底接地，NMOS晶体管M2的栅与VBIAS相连，NMOS晶体管M2的漏与VL端口相连；所述单位增益放大器A2的输入端与传输门S2之间的接线点还同时通过电容C1接地、电容C2接地，单位增益放大器A2输出端连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端同时连接VOUT端口、通过电容C3接地。

进一步的，所述电容C1、电容C2、单位增益放大器A2、电阻R3、电容C3构成主滤波电路。

进一步的，所述电阻R3和电容C3形成低通滤波器。

进一步的，电容C0为隔直电容。

与现有技术相比，本实用新型通过引入一个负增益支路（二极管与电阻串联支路），消减了中高功率区域的增益膨胀，改善了功率放大器的线性度，实现了对低直流偏置下的功率放大器芯片电路线性度的调节，阻止射频信号的灌入，隔直电容阻止功率检测电压对射频输入端的影响，工作稳定、可靠，且切断了环路滤波器的放电路径，以此来达到稳定环路电压的目的，而不像传统结构那样，需要大的环路电容，因此提高了芯片的集成度，降低了成本。

附图说明

图1为通信用滤波器的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。