[实用新型]一种低噪声高动态的波导限幅低噪声放大器有效
申请号: | 201420514225.4 | 申请日: | 2014-09-09 |
公开(公告)号: | CN204068871U | 公开(公告)日: | 2014-12-31 |
发明(设计)人: | 孙伟;朱小三;马正纯;任凤;王腾飞;唐进;毛飞 | 申请(专利权)人: | 安徽四创电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26 |
代理公司: | 合肥金安专利事务所 34114 | 代理人: | 吴娜 |
地址: | 230088 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 噪声 动态 波导 限幅 低噪声放大器 | ||
1.一种低噪声高动态的波导限幅低噪声放大器,其特征在于:包括用于接收波导传输信号的波导隔离器(1),其输出端与波导同轴转换装置(2)的输入端相连,波导同轴转换装置(2)的输出端与限幅电路(3)的输入端相连,限幅电路(3)的输出端与放大电路(4)的输入端相连,放大电路(4)的输出端与微带隔离器(5)的输入端相连,微带隔离器(5)的输出端作为波导限幅低噪声放大器的输出端,电源转换电路(6)向放大电路(4)供电。
2.根据权利要求1所述的低噪声高动态的波导限幅低噪声放大器,其特征在于:所述波导隔离器(1)采用BG100BGAa芯片,所述波导同轴转换装置(2)为在波导腔内沿垂直信号传输方向安装的金属棒,所述微带隔离器(5)采用DGXGBa1芯片。
3.根据权利要求1所述的低噪声高动态的波导限幅低噪声放大器,其特征在于:所述限幅电路(3)采用两级限幅二极管D1、D2,二极管D1的阳极、二极管D2的阴极均与波导同轴转换装置(2)的输出端相连,二极管D1的阴极、二极管D2的阳极均接地。
4.根据权利要求1所述的低噪声高动态的波导限幅低噪声放大器,其特征在于:所述放大电路(4)包括MOS管Q1,其栅极接限幅电路(3)的输出端,且通过电阻R1接-1V直流电,其源极接地,其漏极分两路输出,一路通过并联的电阻R2、电阻R3接+5V直流电,另一路与电容C5的一端相连,电容C5的另一端与MOS管Q2的栅极相连;MOS管Q2的栅极通过电阻R4接-1V直流电,MOS管Q2的源极接地,MOS管的漏极分两路输出,一路通过并联的电阻R5、R6接+5V直流电,另一路与电容C6的一端相连,电容C6的另一端与MOS管Q3的栅极相连;MOS管Q3的栅极通过电阻R7接-1V直流电,MOS管Q3的源极接地,MOS管Q3的漏极分两路输出,一路通过并联的电阻R8、R9接+9V直流电,另一路与电容C7的一端相连,电容C7的另一端与微带隔离器(5)的输入端相连。
5.根据权利要求1所述的低噪声高动态的波导限幅低噪声放大器,其特征在于:所述电源转换电路(6)包括稳压块ZSR900G,其3脚外接+12V直流电,其1脚输出+9V直流电至稳压块ZSR500G的3脚,稳压块ZSR500G的1脚输出+5V直流电至DC-DC模块MAX1673的4脚、8脚,DC-DC模块MAX1673的5脚输出-1V直流电。
6.根据权利要求4所述的低噪声高动态的波导限幅低噪声放大器,其特征在于:所述MOS管Q1采用晶体管NE3210S01,所述MOS管Q2采用晶体管FHC40LG,所述MOS管Q3采用晶体管TC2384。
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