[实用新型]一种瞬态抑制二极管

权利要求书

1.一种瞬态抑制二极管，包括芯片(5)、焊片一(2)和封装体(9)，其特征在于：还包括散热块(1)、保护基片一(4)、引线(3)和底板(7)，所述的保护基片一(4)有两片，所述的引线(3)一端的上表面通过焊片一(2)与散热块(1)相连接，下表面通过焊片一(2)与保护基片一(4)相连接；二极管下部有底板(7)，底板(7)通过焊片二(8)与保护基片二(6)连接；

所述的芯片(5)有两片，上下两个保护基片一(4)通过两个焊片二(8)与一片芯片(5)连接，下方的保护基片一(4)和保护基片二(6)通过两个焊片二(8)与另一片芯片(5)连接；所述的封装体(9)将芯片(5)、焊片一(2)、焊片二(8)、保护基片一(4)、保护基片二(6)和底板(7)封装于其内部，封装体(9)上部有孔，散热块(1)置于孔内，散热块(1)顶部与封装体(9)顶部齐平，引线(3)位于封装体(9)外部一端与底板(7)齐平。

2.根据权利要求1所述的一种瞬态抑制二极管，其特征在于：所述的封装体(9)材料为环氧树脂。

3.根据权利要求1所述的一种瞬态抑制二极管，其特征在于：所述的芯片(5)为瞬态抑制二极管芯片、肖特基芯片或者高压二极管芯片。

4.根据权利要求3所述的一种瞬态抑制二极管，其特征在于：所述的底板(7)为铜底板或钼铜合金底板。

5.根据权利要求1或3所述的一种瞬态抑制二极管，其特征在于：所述的保护基片一(4)和保护基片二(6)均为镀镍钼片。

6.根据权利要求1或2所述的一种瞬态抑制二极管，其特征在于：所述的焊片一(2)和焊片二(8)使用铅锡焊料制成。