[实用新型]一种氧化物半导体薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201420516491.0 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN204243048U | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 司红康;金一琪 | 申请（专利权）人： | 六安市华海电子器材科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 237005 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括绝缘衬底；位于绝缘衬底上的栅极电极层；位于绝缘衬底上覆盖所述栅极电极层的栅极绝缘层；氧化物半导体层形成于栅极绝缘层上，并包括与栅极电极层正对的沟道区域和位于沟道区域两端的源漏极区域；源漏极金属电极层，位于源漏极区域上；其特征在于：在所述源漏极金属电极层与所述源漏极区域接触的区域引入氢浓度分布。
2.一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括绝缘衬底；位于绝缘衬底上的栅极电极层；位于绝缘衬底上覆盖所述栅极电极层的栅极绝缘层；氧化物半导体层形成于栅极绝缘层上，并包括与栅极电极层正对的沟道区域和位于沟道区域两端的源漏极区域；源极金属电极层和漏极金属电极层，其分别位于源极区域和漏极区域上；其特征在于：在所述源极金属电极层与所述源极区域界面处，以及所述漏极金属电极与所述漏极区域的界面处引入的氢浓度最高，并且在远离界面处的方向上引入的氢浓度逐渐变小。
3.一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括绝缘衬底；位于绝缘衬底上的栅极电极层；位于绝缘衬底上覆盖所述栅极电极层的栅极绝缘层；氧化物半导体层形成于栅极绝缘层上，并包括与栅极电极层正对的沟道区域和位于沟道区域两端的源漏极区域；源漏极金属电极层，位于源漏极区域上；其特征在于：在所述源漏极金属电极层与所述源漏极区域接触的区域具有引入的氢浓度分布，并且在所述源漏极金属电极层远离所述源漏极区域的一端没有引入的氢浓度分布。
4.如权利要求3所述的氧化物半导体薄膜晶体管，在靠近所述沟道区域的所述源漏极区域部分没有覆盖所述源漏极金属电极层，并且所述沟道区域内没有引入的氢浓度分布。
5.如权利要求4所述的氧化物半导体薄膜晶体管，所述没有覆盖所述源漏极金属电极层的靠近所述沟道区域的所述源漏极区域部分的长度为源漏极区域长度的1/4到1/2之间。
6.如权利要求1-5任一项所述的氧化物半导体薄膜晶体管，所述氧化物半导体层为Zn-Sn-O、In-Zn-O、In-Ga-O、MgZnO、In2O3层中的一种。
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