[实用新型]一种三子结化合物光伏电池

权利要求书

1.一种三子结化合物光伏电池，包括Ge衬底；Ge子电池，位于Ge衬底上；InGaAs子电池，位于Ge子电池上；InAlAsP子电池，位于InGaAs子电池上；在所述Ge衬底与Ge子电池之间包括n++Ge接触层以及n++Ge接触层之上的背场层；在InAlAsP子电池上为窗口层，窗口层上为p++接触层；Ge子电池与InGaAs子电池，InGaAs子电池与InAlAsP子电池之前具有晶格匹配的n++/p++遂穿二极管。

2.如权利要求1所述的光伏电池,所述Ge子电池在远离衬底的方向上依次包括n Ge基区，p+Ge发射区，并具有0.66ev左右的带隙；所述InGaAs子电池在远离衬底方向上依次包括n InGaAs基区，p+InGaAs发射区，并具有1.40ev左右的带隙；所述InAlAsP子电池在远离衬底方向上依次包括n InAlAsP基区，p+InAlAsP发射区，并具有1.90ev左右的带隙。

3.如权利要求1或2所述的光伏电池，在该光伏电池上部光照面形状为连续的二阶凸起结构，每一个二阶凸起结构具有第一阶凸起和第二阶凸起，其中第二阶凸起从第一阶凸起的上表面向上凸起。

4.如权利要求3所述的光伏电池，从第二阶凸起的顶面到Ge衬底的底面厚度为300～400μm，第一阶凸起的顶部到第一阶凸起底面的厚度为50～80μm；并且第二阶凸起的顶部到第一阶凸起的顶部的厚度至少大于第一阶凸起的顶部到第一阶凸起底面的厚度的两倍；每两个二阶凸起结构之间的间隔小于第一阶凸起的顶部到第一阶凸起底面的厚度。

5.如权利要求4所述的光伏电池，所述n Ge基区的厚度大于n InGaAs基区的厚度，n InGaAs基区的厚度大于n InAlAsP基区的厚度，n Ge基区的厚度为约2.5微米、n InGaAs基区的厚度为2.2微米、n InAlAsP基区的厚度为1.8-2.0微米；p+Ge发射区、p+InGaAs发射区、p+InAlAsP发射区的厚度均为80-100纳米。

6.如权利要求5所述的光伏电池，所述晶格匹配的n++/p++隧穿二极管为异质结隧穿二极管。

7.如权利要求6所述的光伏电池，所述晶格匹配的n++/p++隧穿二极管为n++InGaP/p++InGaAsP异质结隧穿二极管；其总厚度为30-45纳米。