[实用新型]双级光隔离器

说明书

技术领域

本实用新型涉及光纤通讯技术领域，尤其涉及双级光隔离器。

背景技术

双级光隔离器相对单级光隔离器具有更好温度性能，更宽带宽范围和更高隔离度已被广泛应用于光纤通讯中。

请参考图1a，图1a为现有的中心波长为1310nm带宽双级光隔离器。其结构包括法拉第晶体100及偏振片200。其中，法拉第晶体100包括第一法拉第晶体100a和第二法拉第晶体100b，其中心波长均为1310nm。且其偏振片200包括第一偏振片200a、第二偏振片200b和第三偏振片200c，其中，第一偏振片200a设置为0°偏振片，第二偏振片200b设置为45°偏振片，第三偏振片200c设置为90°偏振片。入射光依次经过第一偏振片200a、第一法拉第晶体100a、第二偏振片200b、第二法拉第晶体100b和第三偏振片200c。

请同时参考图1b，图1b为图1a的双级光隔离器的隔离度-波长曲线示意图。从图1b中可以看出，光路中的反方向波长为1310nm的情况下，反向光路具有较高的隔离度，在64dB以上；但是当反向光波长偏离1310nm时，其光隔离度的衰减很快，在反向光波长为1310nm±40nm的波长点，隔离度降到54dB以下。现有的双级光隔离器对波长变化反应敏感，造成双级光隔离器的隔离度值不稳定。

发明内容

本实用新型提供一种隔离度随波长变化衰减缓慢的双级光隔离器。

为了达到上述发明目的，本实用新型提供的技术方案如下：双级光隔离器，包括法拉第晶体和偏振片；其中偏振片包括第一偏振片、第二偏振片和第三偏振片；法拉第晶体包括第一法拉第晶体和第二法拉第晶体；第一法拉第晶体波长范围为1280nm～1330nm，其中心波长为1290nm；第二法拉第晶体的波长范围为1320nm～1340nm，其中心波长为1230nm。

其中，优选实施方式为：第一法拉第晶体长度范围为0.3mm～1.5mm，高度范围为0.3mm～1.5mm；第二法拉第晶体长度范围为0.3mm～1.5mm，高度范围为0.3mm～1.5mm。

其中，优选实施方式为：：第一偏振片设置为0°偏振片，第二偏振片设置为45°偏振片，第三偏振片设置为90°偏振片。

其中，优选实施方式为：入射光依次经过第一偏振片、第一法拉第晶体、第二偏振片、第二法拉第晶体和第三偏振片；反向光依次经过第三偏振片、第二法拉第晶体、第二偏振片、第一法拉第晶体和第一偏振片。

本实用新型的双级光隔离器相比于现有技术来说具有以下优点和积极效果：本实用新型的双级光隔离器的隔离度值对波长变化的敏感度降低了，在1310nm±40nm的波长点，其隔离度值从66dB降到60dB左右。

附图说明

图1a为现有的中心波长为1310nm带宽双级光隔离器。

图1b为图1a的双级光隔离器的隔离度-波长曲线示意图。

图2a为本实用新型的双级光隔离器。

图2b为图2a的双级光隔离器的隔离度-波长曲线示意图。

具体实施方式

为使对本实用新型的目的、构造特征及其功能有进一步的了解，配合附图详细说明如下。应当理解，此部分所描述的具体实施例仅可用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

请参考图2a，图2a为本实用新型的双级光隔离器。其结构包括法拉第晶体110及偏振片210。其中，法拉第晶体110包括第一法拉第晶体110a和第二法拉第晶体110b。第一法拉第晶体110a的波长范围为1280nm～1330nm，其中心波长设置为1290nm，长度范围为0.3mm～1.5mm，高度范围为0.3mm～1.5mm；第二法拉第晶体110b的波长范围为1320nm～1340nm，其中心波长设置为1230nm，长度范围为0.3mm～1.5mm，高度范围为0.3mm～1.5mm。

偏振片210包括第一偏振片210a、第二偏振片210b和第三偏振片210c，其中，第一偏振片210a设置为0°偏振片，第二偏振片210b设置为45°偏振片，第三偏振片210c设置为90°偏振片。

入射光依次经过第一偏振片210a、第一法拉第晶体110a、第二偏振片210b、第二法拉第晶体110b和第三偏振片210c，而反向光依次经过第三偏振片210c、第二法拉第晶体110b、第二偏振片210b、第一法拉第晶体110a和第一偏振片210a。