[实用新型]一种N型PERC晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201420527210.1 | 申请日： | 2014-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN204067396U | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 夏正月;高艳涛;崔会英;钱亮;何锐;张斌;邢国强 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 刘燕娇 |
| 地址： | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 perc 晶体 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种N型PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：为依次叠层的正面银铝电极、减反膜、硼扩散层、N型硅基体、氧化铝钝化膜和蒸镀铝层结构，所述减反膜由氧化铝和氮化硅叠层形成，所述氧化铝钝化膜上设有点阵或者线阵形图形，所述蒸镀铝层透过氧化铝钝化膜上的图形与N型硅基体局域接触。
2.根据权利要求1所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述硼扩散层，其方阻值为45-140 ohm/sq。
3.根据权利要求1所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述钝化膜厚度为2-40nm。
4.根据权利要求1所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述减反膜厚度为50-90nm。
5.根据权利要求4所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述减反膜折射率为1.9-2.3。
6.根据权利要求1所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述线阵列的线宽为10-100um，间距为0.3-2.5mm。
7.根据权利要求1所述的一种N型PERC晶体硅太阳能电池，其特征在于：所述蒸镀铝层厚度为0.5-3um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
