[实用新型]一种减小输入电容的VDMOS器件结构有效
| 申请号： | 201420532042.5 | 申请日： | 2014-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN204130545U | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 刘文辉 | 申请（专利权）人： | 西安卫光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 蔡和平 |
| 地址： | 710065 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 减小 输入 电容 vdmos 器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种减小输入电容的VDMOS器件结构，其特征在于：包括N+型衬底(110)，位于N+型衬底(110)上的N型衬底外延层(120)，以及位于N型衬底外延层(120)上的元胞；N型衬底外延层(120)的表面上包括相互平行的若干个条形源电极(150)以及夹在条形源电极(150)之间的栅电极(140)；所述的栅电极(140)栅氧化层上的多晶硅层(130)为彼此分开的两个条形结构。
2.根据权利要求1所述的减小输入电容的VDMOS器件结构，其特征在于：所述的两个条形结构的多晶硅层(130)平行分布。
3.根据权利要求1或2所述的减小输入电容的VDMOS器件结构，其特征在于：所述的多晶硅层(130)上覆盖有用于隔离栅电极(140)与源电极(150)的钝化层。
4.根据权利要求1所述的减小输入电容的VDMOS器件结构，其特征在于：所述的多晶硅层(130)的宽度范围为3μm～7μm。
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