[实用新型]一种薄膜有效

专利信息
申请号: 201420532380.9 申请日: 2014-09-16
公开(公告)号: CN204160823U 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 林朝晖 申请(专利权)人: 福建省辉锐材料科技有限公司
主分类号: B32B9/04 分类号: B32B9/04;B32B15/09;B32B27/06;B32B33/00
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地址: 362000 福建省泉*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及薄膜材料领域,尤其涉及一种薄膜。

背景技术

薄膜是一种薄而软的透明薄片。一般是由塑料、橡胶制成。其中聚酯薄膜包括如:光学薄膜、复合薄膜、超导薄膜、聚酯薄膜、尼龙薄膜、塑料薄膜等等。其被广泛用于电子电器,机械,印刷等行业。然而,对于目前使用的薄膜,如:聚碳酸酯材料(PC),虽具备高强度及弹性系数、高抗冲击强度、使用温度范围广、但是其最大不足之处在于表面硬度低,抗划伤性不好;聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA),高光学透明性、耐候性好、表面硬度高,但其耐冲击强度低,加工困难;聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET),综合性能较优,但PET薄膜一般需经双向拉伸工艺加工,平整度不易控制,并由于取向结双向拉伸聚酯薄膜由于其高透明度、高亮度、较高的耐热稳定性、较好的阻隔性能等优异的物理机械性能在烟包转移、高档镀铝市场的应用越来越广泛,但随着下游市场自动化程度的要求越来越高以及生产成本的考虑,需要聚酯薄膜厚度越来越薄。

发明内容

为了解决现有技术中的问题,本实用新型的目的是提供一种薄膜。其抗划伤性能好、抗拉强度高,厚度小。

为实现上述目的,本实用新型采用以下设计方案:

一种薄膜,其包括:

石墨烯薄膜层及在石墨烯薄膜层上下表面的PEN薄膜层。

优选的,在PEN薄膜层的外表面上还设有金属膜层。

优选的,所述金属膜层为Ti、TiN或TiC膜层。

优选的,所述金属膜层的厚度为0.5~10μm。

优选的,所述石墨烯薄膜层为单层石墨烯层或多层石墨烯层。

本实用新型采用以上设计方案,其在石墨烯薄膜层上设PEN薄膜层得到的薄膜,具备了石墨烯的柔韧性好,刚度高的特点,同时也利用了PEN的化学稳定性好,耐酸碱性等都优于其他聚酯薄膜。在石墨烯薄膜层的表面设PEN薄膜层,也很好的利用了PEN薄膜层具有很好的耐热性能,和阻隔性能,即保护了石墨烯薄膜层又提升了薄膜整体的性能。

附图说明

下面结合附图对本实用新型作进一步详细的说明:

图1为本实用新型薄膜实施例一的结构示意图;

图2为本实用新型薄膜实施例二的结构示意图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

实施例一:

如图1所述,本实用新型公开的一种薄膜,其包括:

石墨烯薄膜层1;形成在石墨烯薄膜层1上下表面的PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)薄膜层2。所述石墨烯薄膜层1为单层石墨烯层。

实施例二:

如图2所示,与实施例一不同的是,其中在PEN薄膜层2的外表面上还设有金属膜层3。所述金属膜层3为Ti膜层。所述金属膜层3的厚度为0.5μm。所述石墨烯薄膜层1为多层石墨烯层。

实施例三:

与实施例一不同的是,其中在PEN薄膜层2的外表面上还设有金属膜层3。所述金属膜层3为TiN膜层。所述金属膜层3的厚度为10μm。所述石墨烯薄膜层1为单层石墨烯层。

本实用新型的薄膜可以采用以下方法制备:在Cu衬底上生长石墨烯(Graphene);在Graphene/Cu表面旋涂一层约10m厚的PMMA,待PMMA自然固化约30分钟;将样品置于Fe(NO3)3或(NH3)SO4等溶液表面,将Cu衬底腐蚀掉,PMMA-Graphene漂浮在液面上;用硅片从液面下往上将PMMA-Graphene捞起,放置晾干后置于干燥箱或者低真空(10-2Torr)中使得石墨烯和硅片接触更好;用丙酮溶液将PMMA溶解,将石墨烯转移到目标基底PEN薄膜层上;在附有石墨烯的PEN薄膜上再附上一层PEN薄膜层,石墨烯薄膜层位于PEN薄膜层之间。

进一步的,可以在上述制得的薄膜的PEN薄膜层的外表面喷涂或镀设金属膜层。

本实用新型公开的薄膜具备了石墨烯的柔韧性好,刚度高的特点,同时也利用了PEN的化学稳定性好,耐酸碱性等都优于其他聚酯薄膜。在石墨烯薄膜层的表面设PEN薄膜层,也很好的利用了PEN薄膜曾具有很好的耐热性能,和阻隔性能,即保护了石墨烯薄膜层又提升了薄膜整体的性能。可以广泛的应用于制作超薄录像带基及高性能电子元件,以及用于精密仪器和国防产品的高档包装和抗冲击包装等各个领域。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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