[实用新型]衬底可剥离外延结构、太阳能电池及发光二极管外延结构有效
| 申请号： | 201420536931.9 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN204243024U | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;张永;陈凯轩;姜伟;蔡建九;吴洪清;李俊承;方天足;卓祥景;张银桥;黄尊祥;王向武 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L33/22;H01L31/0352;H01L31/0725 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 李宁 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 剥离 外延 结构 太阳能电池 发光二极管 | ||
1.衬底可剥离外延结构，其特征在于：电池外延结构或外延发光结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成。
2.如权利要求1所述的衬底可剥离外延结构，其特征在于：所述的交替生长的AlInP/AlAs多层结构，其交替生长的对数为3-8对。
3.如权利要求1所述的衬底可剥离外延结构，其特征在于：AlInP层的单层厚度范围20-60nm。
4.如权利要求1所述的衬底可剥离外延结构，其特征在于： AlAs层的单层厚度范围40-150nm。
5.如权利要求1所述的衬底可剥离外延结构，其特征在于：交替生长的AlInP/AlAs多层结构的第一层为AlInP层，且与衬底相邻。
6.如权利要求1所述的衬底可剥离外延结构，其特征在于：交替生长的AlInP/AlAs多层结构的最后一层为AlInP层，且与外延结构相邻；最后一层的AlInP层的厚度较其它AlInP层厚。
7.衬底可剥离太阳能电池外延结构，其特征在于：电池外延结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成；电池外延结构由下自上依次设置欧姆接触层、顶电池窗口层、顶电池发射区、顶电池基区、顶电池BSF层、中顶电池隧穿结、中电池窗口层、中电池发射区、中电池基区、中电池BSF层、中底电池隧穿结、组分渐变层、底电池窗口层、底电池发射区、底电池基区及底电池BSF层组成，且欧姆接触层与牺牲层相邻。
8.衬底可剥离发光二极管外延结构，其特征在于：外延发光结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成；发光外延结构由下自上依次设置的第一型导电层、有源层及第二型导电层组成，且第一型导电层与牺牲层相邻。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司，未经厦门乾照光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420536931.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：药物吸入装置
- 下一篇：注射泵接合检测设备和方法
