[实用新型]高饱和容量的图像传感器像素

权利要求书

1.一种高饱和容量的图像传感器像素，包括置于半导体基体中的光电二极管、电荷传输晶体管、第一复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，其特征在于，还包括第二复位晶体管和N型离子区，所述第二复位晶体管与所述光电二极管相连；

所述N型离子区的一部分位于所述电荷传输晶体管沟道中，另一部分位于所述漂浮有源区中，并且与所述漂浮有源区的N+区相连。

2.根据权利要求1所述的高饱和容量的图像传感器像素，其特征在于，所述第二复位晶体管的源极端为光电二极管区，漏极端与电源电压相连。

3.根据权利要求1所述的高饱和容量的图像传感器像素，其特征在于，所述N型离子区与所述电荷传输晶体管沟道交叠部分大于等于0.1um，并且在所述漂浮有源区中的宽度大于等于0.1um。

4.根据权利要求1所述的高饱和容量的图像传感器像素，其特征在于，所述N型离子区的深度小于等于0.2um。

5.根据权利要求1所述的高饱和容量的图像传感器像素，其特征在于，所述漂浮有源区的N+区与电荷传输晶体管栅极的距离大于等于0.1um。