[实用新型]高精度基准电压源有效

专利信息
申请号: 201420541253.5 申请日: 2014-09-22
公开(公告)号: CN204065900U 公开(公告)日: 2014-12-31
发明(设计)人: 李启龙;邱德华;单来成;尚绪树;桑涛;宋金凤 申请(专利权)人: 山东力创科技有限公司
主分类号: G05F3/20 分类号: G05F3/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 271199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 高精度 基准 电压
【权利要求书】:

1.高精度基准电压源,包括带隙基准电压源电路(1),所述带隙基准电压源电路(1)包括PNP管Q1和Q2、电阻R1、R2、R3、R4、R5和R6、第一运算放大器OP1,所述电阻R1、R3、R4、R5和R6串联,PNP管Q1的基极和集电极接地,PNP管Q1的发射极与电阻R6的负端相连;电阻R2的负端与PNP管Q2的发射极相连,作为所述带隙基准电压源电路(1)的第二电压端b,PNP管Q2的基极与集电极接地;电阻R3的正端与电阻R1的负端相连,作为所述带隙基准电压源电路(1)的第一电压端a;其特征在于:所述的电阻R4与NMOS管MN1并联,且NMOS管MN1的源极接电阻R4的负端,NMOS管MN1的漏极接电阻R4的正端;所述的电阻R5与NMOS管MN2并联,且NMOS管MN2的源极接电阻R5的负端,NMOS管MN2的漏极接电阻R5的正端;所述的电阻R6分别通过电阻R7、R8、R9与NMOS管MN3、MN4、MN5并联,且NMOS管MN3、MN4、MN5的源极均接电阻R6的负端,NMOS管MN3、MN4、MN5的漏极分别接电阻R7、R8、R9的负端;NMOS管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5为低温漂控制开关;第一运算放大器OP1的输出端c与PMOS管MP1的栅极连接,电阻R1的正端与电阻R2的正端、PMOS管MP1的漏极相连,PMOS管MP1的源极接电源端;所述的电阻R1、R2的正端同时接输出调整电路(2)。

2.根据权利要求1所述的高精度基准电压源,其特征在于:所述的输出调整电路(2)包括第二运算放大器OP2、电阻R10和R11、电阻串序列R12、NMOS开关阵列MN6;所述的第二运算放大器OP2的第一输入端d 与所述带隙基准电压源电路(1)中的电阻R1、R2的正端相连;所述的第二运算放大器OP2的输出端f与电阻R10的正端相连,作为基准电压输出端g;所述电阻串序列R12包括第一电压端h、第二电压端m;所述NMOS开关阵列MN6包括第一电压端N1、第二电压端N2、输出端N3,电阻R10的负端与所述电阻串序列R12的第一电压端h、所述NMOS开关阵列MN6的第一电压端N1相连,所述电阻串序列R12的第二电压端m与所述NMOS开关阵列MN6的第二电压端N2、电阻R11的正端相连;电阻R11的负端接地;所述电阻串序列R12的相邻电阻之间均通过所述NMOS开关阵列MN6的NMOS开关的源极与所述NMOS开关阵列MN6的输出端N3相连;所述NMOS开关阵列MN6中的所有NMOS开关的漏极连接到一起作为所述NMOS开关阵列MN6的输出端N3;所述NMOS开关阵列MN6的输出端N3与所述第二运算放大器OP2的第二输入端e相连;NMOS开关阵列MN6是输出电压控制开关。

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