[实用新型]半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器有效
| 申请号： | 201420541471.9 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN204167676U | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 刘承勇;张文昌;陈新民 | 申请（专利权）人： | 福州紫凤光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S3/081;H01S3/109 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王美花 |
| 地址： | 350000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 侧泵浦腔内 倍频 紫外 激光器 | ||
1.一种半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器，其特征在于：包括折叠谐振腔、Q开关、半导体侧泵浦模块、和频晶体、波片、倍频晶体，所述折叠谐振腔由前端反射镜、折叠反射镜以及后端反射镜构成，所述Q开关靠近前端反射镜放置，所述半导体侧泵浦模块靠近Q开关放置，倍频晶体靠近后端反射镜放置，波片靠近倍频晶体放置，和频晶体靠近波片放置。
2.根据权利要求1所述的半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器，其特征在于：所述前端反射镜与折叠反射镜之间呈有夹角，所述后端反射镜与折叠反射镜之间呈有夹角，且所述前端反射镜与所述后端反射镜位于折叠反射镜的同侧。
3.根据权利要求2所述的半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器，其特征在于：所述前端反射镜与折叠反射镜之间的夹角≤8°，所述后端反射镜与折叠反射镜之间的夹角≤8°。
4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器，其特征在于：所述前端反射镜与折叠反射镜镀1064nm基频光全反膜，所述后端反射镜镀1064nm基频光与532nm倍频光全反膜。
5.根据权利要求1所述的半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器，其特征在于：所述半导体侧泵浦模块为Nd:YVO4激光晶体或Nd:YAG激光晶体，且所述Nd:YVO4激光晶体或Nd:YAG激光晶体的两端以布儒斯特角切割。
6.根据权利要求1所述的半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器，其特征在于：所述倍频晶体为MgO:PPSLT晶体，且倍频晶体两端镀1064nm基频光与532nm倍频光增透膜。
7.根据权利要求1所述的半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器，其特征在于：所述波片相对基频光为全波片、倍频光为1/2波片，实现倍频光从P偏振光转换成S偏振光。
8.根据权利要求1所述的半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器，其特征在于：所述和频晶体采用LBO晶体II类匹配方式，和频晶体的一端镀1064nm基频光与532nm倍频光增透膜，晶体一端以布儒斯特角切割。
9.根据权利要求1所述的半导体侧泵浦腔内倍频紫外激光器，其特征在于：所述Q开关为声光Q开关或电光Q开关。
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