[实用新型]离子源准直器及离子源有效

专利信息
申请号: 201420544521.9 申请日: 2014-09-22
公开(公告)号: CN204088256U 公开(公告)日: 2015-01-07
发明(设计)人: 赵良超;何小中;马超凡;庞健 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
主分类号: H01J27/04 分类号: H01J27/04
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 罗言刚
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 离子源 准直器
【权利要求书】:

1.离子源准直器,其特征在于,包括准直器基体(1),所述准直器基体中开设有准直孔(2),所述准直孔周围设置有环形溅射台(3),所述环形溅射台(3)高度低于准直器基体上表面(5),所述环形溅射台(3)周围还设置有高度高于准直器基体上表面(5)的环形定位台阶(4),所述环形溅射台(3)与准直孔(2)轴线重合。

2.如权利要求1所述的离子源准直器,其特征在于,所述离子源准直器整体均为纯钽材料。

3.如权利要求1所述的离子源准直器,其特征在于,所述准直器基体、准直孔为圆形,准直孔轴线与准直器基体轴线距离为0至2毫米。

4.如权利要求3所述的离子源准直器,其特征在于,所述准直孔的直径为3至4毫米。

5.如权利要求1所述的离子源准直器,其特征在于,所述环形定位台阶高度高于准直器基体上表面1至3毫米。

6.离子源,其特征在于,包括圆柱形的阳极(9),位于阳极两端的如权利要求1至5任意一项所述的离子源准直器(6),所述离子源还包括阴极(7)和对阴极(8),所述阴极(7)和对阴极(8)的端部电极形状与所述离子源准直器(6)的环形定位台阶形状配合,且能覆盖离子源准直器的准直孔。

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