[实用新型]蚀刻、显影、清洗以及褪膜设备、喷淋处理设备有效
| 申请号： | 201420550326.7 | 申请日： | 2014-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN204230209U | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 孙尚传 | 申请（专利权）人： | 安徽省大富光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 233000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 显影 清洗 以及 设备 喷淋 处理 | ||
1.一种喷淋处理设备，其特征在于，所述喷淋处理设备包括：
支撑装置，用于支撑待处理的基材，且所述支撑装置的支撑平面相对水平面倾斜设置，以使得所述基材与水平面成预定角度倾斜；
喷淋装置，用于向倾斜设置的所述基材喷淋处理液。
2.根据权利要求1所述的喷淋处理设备，其特征在于，所述支撑装置设有用于传送基材的传送机构。
3.根据权利要求1所述的喷淋处理设备，其特征在于，所述支撑装置的两侧均设置有喷淋装置。
4.根据权利要求1所述的喷淋处理设备，其特征在于，所述支撑平面与水平面的夹角为2～70度。
5.根据权利要求4所述的喷淋处理设备，其特征在于，所述支撑装置还包括用于调节所述支撑平面的倾斜角度的角度调节装置。
6.根据权利要求1所述的喷淋处理设备，其特征在于，所述喷淋装置与所述支撑装置平行设置，且所述喷淋装置喷出处理液的方向与所述支撑装置支撑的基材表面垂直；或者所述喷淋装置水平设置，且所述喷淋装置喷出处理液的方向与水平面垂直。
7.根据权利要求1-6任一项所述的喷淋处理设备，其特征在于，所述支撑装置包括至少两个子支撑装置，所述喷淋装置包括至少两个子喷淋装置，且每个所述子支撑装置对应设置至少一个子喷淋装置。
8.根据权利要求7所述的喷淋处理设备，其特征在于，至少两个所述子支撑装置的两支撑平面相交。
9.根据权利要求8所述的喷淋处理设备，其特征在于，至少两个所述子支撑装置的两支撑平面关于同一铅垂面对称设置。
10.一种蚀刻设备，其特征在于，所述蚀刻设备包括：
支撑装置，用于支撑待处理的基材，且所述支撑装置支撑平面相对水平面倾斜设置，以使得所述基材与水平面成预定角度倾斜；
喷淋装置，用于向倾斜设置的所述基材喷淋蚀刻液。
11.一种显影设备，其特征在于，所述显影设备包括：
支撑装置，用于支撑待处理的基材，且所述支撑装置的支撑平面相对水平面倾斜设置，以使得所述基材与水平面成预定角度倾斜；
喷淋装置，用于向倾斜设置的所述基材喷淋显影液。
12.一种清洗设备，其特征在于，所述清洗设备包括：
支撑装置，用于支撑待处理的基材，且所述支撑装置的支撑平面相对水平面倾斜设置，以使得所述基材与水平面成预定角度倾斜；
喷淋装置，用于向倾斜设置的所述基材喷淋清洗液。
13.一种褪膜设备，其特征在于，所述褪膜设备包括：
支撑装置，用于支撑待处理的基材，且所述支撑装置的支撑平面相对水平面倾斜设置，以使得所述基材与水平面成预定角度倾斜；
喷淋装置，用于向倾斜设置的所述基材喷淋褪膜液。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
