[实用新型]电子装置有效
申请号: | 201420555614.1 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN204230226U | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | D·奥谢尔;Y·安布斯 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(格勒诺布尔2)公司 |
主分类号: | H01L23/46 | 分类号: | H01L23/46;H01L23/498 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;张宁 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
衬底晶片,由绝缘材料制成并且包括电连接网络;
一个集成电路芯片,安装在所述衬底晶片的顶侧上;以及
其中,所述衬底晶片进一步包括至少一个内部导管。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述内部导管包含导热材料。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述内部导管以一定距离与所述电连接网络分隔。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述内部导管由沟槽形成在所述衬底晶片中,所述沟槽由表面层覆盖。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述衬底晶片进一步包含互补的内部导管,所述互补的内部导管连接至所述内部导管并且被配置用于连接至用于使流体流动的装置。
6.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述电连接网络包括在内部平面中的包括电连接焊盘的金属层,并且其中所述衬底晶片包括在该内部平面中的、由所述表面层覆盖的中间层,并且其中所述沟槽形成在所述中间层中,所述中间层和所述表面层包含在电连接焊盘上方的开孔,并且所述沟槽以一定距离与所述开孔分隔。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述沟槽的深度小于所述中间层的深度。
8.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述沟槽延伸至并未到达所述金属层的正面侧的深度。
9.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述电连接网络包括在所述金属层中的、通过中间电连接元件以及位于所述芯片周围的电连接焊盘而连接至所述芯片的电连接焊盘,以及在所述衬底晶片的另一侧上的电连接焊盘。
10.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述电子装置进一步包括,具有另一电连接网络的另一晶片,所述另一电连接网络连接至所述电连接网络以及连接至该另一电连接网络(103)的另一集成电路芯片。
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述电子装置进一步包括印刷电路板,所述衬底晶片借由连接至所述电连接网络的外部金属元件安装至所述印刷电路板。
12.一种电子装置,其特征在于,包括:
集成电路;以及
衬底晶片,包括:
绝缘材料层,包括电连接网络;
金属层,包括在所述绝缘层的顶表面上的、并且与所述电连接网络电接触的电连接焊盘;
中间层,在所述金属层和所述绝缘材料层之上;
多个沟槽,形成在所述中间层的顶表面中;以及
表面层,在所述中间层的顶表面上并且被配置用于封闭所述沟槽;
其中,所述集成电路安装至所述衬底晶片。
13.根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述电子装置进一步包括,包含在所述沟槽内的导热材料。
14.根据权利要求13所述的装置,其特征在于,所述导热材料是流体。
15.根据权利要求14所述的装置,其特征在于,所述电子装置进一步包括,形成在所述衬底晶片中与所述沟槽流体联通的互补的内部导管。
16.根据权利要求15所述的装置,其特征在于,所述互补的内部导管被配置用于连接至用于使所述流体流动的装置。
17.根据权利要求12所述的装置,其特征在于,所述电子装置进一步包括多个开口,形成在所述中间层的顶表面中以暴露所述金属层的所述电连接焊盘,其中所述集成电路通过所述开口电连接至所述电连接焊盘。
18.根据权利要求17所述的装置,其特征在于,所述开口与所述沟槽分隔。
19.根据权利要求17所述的装置,其特征在于,每个开口包括延伸穿过所述表面层的开口。
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