[实用新型]具有宽阔的指向角的发光器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光器件，具体地讲，涉及一种通过表面处理等而具有宽阔的指向角的发光器件。

背景技术

发光器件作为发射通过电子和空穴的再结合来产生的光的无机半导体器件，近年来广泛使用于显示器、车辆灯、普通照明等各种领域。尤其是，氮化镓、氮化铝等氮化物半导体具有直接跃迁型特性，并且可制造为具有多种带域的能带间隙，从而可根据需要制造多种波长带的发光器件。

发光器件根据其用途需要多种范围的指向角，例如，用于显示器的背光源或者用于杀菌装置等的UV发光器件优选为具有宽阔的指向角。因此，应用透镜之类的附加的构成或者应用对发光器件进行表面处理等的技术以加宽发光器件的指向角。

此外，没有利用单独的封装件主体的晶圆级封装件或者板上芯片(chip-on-board)形态的发光器件要求在没有透镜之类的单独的附加构成的情况下调节指向角。然而，虽然现有的表面加工技术等可提高发光器件的光提取效率，但是难以加宽指向角。尤其是，对于UV发光器件而言，由于无法应用利用可能因UV光而变形或劣化的材质的模塑部或透镜，因此在应用加宽指向角的技术时受限。

因此，对于没有应用封装件主体或透镜的发光器件需要加宽指向角的技术。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种具有宽阔的指向角的发光器件。

本实用新型所要解决的另一个技术问题在于，提供一种不包含透镜之类的附加的构成且具有宽阔的指向角的发光器件。

根据本实用新型的一个实施例的发光器件，包括：发光结构体；基板，位于所述发光结构体上；反射防止层，覆盖所述发光结构体及所述基板的侧面，其中，所述基板的上面的至少一部分暴露。

所述基板可包括：倒角面，形成于所述基板的上部边角且倾斜，所述反射防止层可覆盖所述倒角面。

此外，所述基板还可包括：凹凸图案，形成于所述基板的上面且具有凸出部和凹陷部，所述反射防止层可填充所述凹凸图案的凹陷部。

所述基板的上面可通过所述凹凸图案的凸出部而局部暴露。

此外，所述凹陷部可具有V字形状。

所述倒角面的倾斜率可与所述凹陷部的倾斜率相同。

所述反射防止层可包含SiO₂、SiN_x、SiON、MgF₂、MgO、Si₃N₄、Al₂O₃、SiO、TiO₂、Ta₂O₅、ZnS、CeO、CeO₂中的一种。

此外，所述发光结构体可发射具有紫外线区域的峰值波长的光。

所述发光器件还可包括：电极，位于所述发光结构体下面。

在几个实施例中，所述发光结构体包括：第一导电型半导体层；多个凸台，彼此隔开而位于所述第一导电型半导体层下面，且分别包含活性层及第二导电型半导体层；反射电极，位于所述多个凸台中的每个的下面而欧姆接触于所述第二导电型半导体层；电流分散层，覆盖所述多个凸台及所述第一导电型半导体层，且位于所述多个凸台中的每个的下面区域，并具有使所述反射电极暴露的开口部，且欧姆接触于所述第一导电型半导体层，并与所述多个凸台形成绝缘。

所述多个凸台具有沿一侧方向彼此平行且延伸的长的形状，且所述电流分散层的开口部可偏向所述多个凸台的同一个端部侧而布置。

此外，所述发光器件还可包括：上部绝缘层，覆盖所述电流分散层的至少一部分，并具有使所述反射电极暴露的开口部；第二电极垫，位于所述上部绝缘层上，并连接到通过所述上部绝缘层的开口部而暴露的反射电极。

此外，所述发光器件还可包括：第一电极垫，连接到所述电流分散层。

根据本实用新型，由于包含反射防止层和上表面至少一部分暴露的基板，因此可提供具有宽阔的指向角的发光器件。此外，可提供与发光角度无关而发射大致恒定的光量的发光器件，并且在不添加额外的构成的情况下提供具有宽阔的指向角的发光器件，从而可提高发光器件的可靠性。

附图说明

图1至图4是用于说明根据本实用新型的一个实施例的发光器件及其制造方法的剖面图。

图5至图7是用于说明根据本实用新型的另一个实施例的发光器件及其制造方法的剖面图。

图8A至图12B是用于说明根据本实用新型的又一个实施例的发光器件的剖面图和平面图。

具体实施方式