[实用新型]高灵敏度硅压阻压力传感器

权利要求书

1.一种高灵敏度硅压阻压力传感器，包括硅基底（1）；其特征是：所述硅基底（1）上贴合有应变膜（3），且应变膜（3）将硅基底（1）内的上部密封形成真空腔（5）；应变膜（3）的中心区凹设有应力集中区（4），所述应力集中区（4）位于真空腔（5）的正上方；应变膜（3）上设置用于形成惠斯通电桥桥臂的应变电阻（6），所述应变电阻（6）位于应力集中区（4）的外圈且位于真空腔（5）的上方；应变膜（3）上的应变电阻（6）通过应变膜（3）上方的金属电极（10）电连接后形成惠斯通电桥；金属电极（10）与应变膜（3）间通过保护层（9）相隔离。

2.根据权利要求1所述的高灵敏度硅压阻压力传感器，其特征是：所述应变电阻（6）的外侧设置有离子注入导线（7），所述离子注入导线（7）通过金属连接导线（11）与金属电极（10）电连接，以将应变膜（3）上的应变电阻（6）连接形成惠斯通电桥；金属电极（10）与金属连接导线（11）为同一工艺制造层。

3.根据权利要求2所述的高灵敏度硅压阻压力传感器，其特征是：所述金属电极（10）与保护层（9）之间设置有接触层（8），所述保护层（9）支撑在应变膜（3）上，保护层（9）以及金属连接导线（11）上覆盖有钝化层（12）。

4.根据权利要求1所述的高灵敏度硅压阻压力传感器，其特征是：所述硅基底（1）内的上部设有凹槽（13），在所述凹槽（13）的侧壁、底壁以及硅基底（1）的表面上均设置有键合层（2）；应变膜（3）与键合层（2）硅硅键合，以使得应变膜（3）贴合在硅基底（1）上，应变膜（3）将凹槽（13）密封形成真空腔（5）。

5.根据权利要求3所述的高灵敏度硅压阻压力传感器，其特征是：所述接触层（8）为TiN层，接触层（8）的厚度为0.05μm~0.5μm，保护层（9）为氧化硅层，钝化层（12）为氮化硅层。