[实用新型]无主栅高效率背接触太阳能电池模块及组件有效
申请号: | 201420565025.1 | 申请日: | 2014-09-28 |
公开(公告)号: | CN204088345U | 公开(公告)日: | 2015-01-07 |
发明(设计)人: | 林建伟;夏文进;孙玉海;张育政 | 申请(专利权)人: | 苏州中来光伏新材股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/042 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军 |
地址: | 215542 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无主 高效率 接触 太阳能电池 模块 组件 | ||
1.无主栅高效率背接触太阳能电池模块,该太阳能电池模块包括电池片和电连接层,所述电池片的背光面具有与P型掺杂层连接的P电极和与N型掺杂层连接的N电极,其特征在于:所述电连接层包括两组以上指状电极,各组所述指状电极成叉指状交替排列,所述指状电极与P电极或N电极电连接,相邻排列的所述成叉指状电极与不同型掺杂层电极电连接;所述模块受光面面积与电池片面积之比为1.05∶1~100∶1。
2.根据权利要求1所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述电连接层为三层结构,第一层为导电材料层,第二层为抗变形层,第三层的材料为与第一层材料的热胀冷缩系数相同或相近的材料,叉指状交替排列的指状电极设置在所述导电材料层上;所述导电材料层为铝塑板、铜塑板、银塑板中的任一种,所述抗变形层为发泡PET材料,所述第三层的材料与第一层的导电材料相同;所述指状电极镀有铜层、银层或铝层中的任一种。
3.根据权利要求1所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述指状电极的指部设置有副栅或者导电粒子,用于收集电子,所述副栅或者导电粒子与电极连接;汇流条电极设置在指状电极的基部,汇流条电极的表面具有凹凸形状。
4.根据权利要求1所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述P电极为点状P电极或者线型P电极,所述N电极为点状N电极或者线型N电极;所述点状P电极的直径为0.4mm~1.5mm,与所述指状电极的同一指部连接的两个相邻点状P电极之间的距离为0.7mm~10mm,所述线型P电极的宽度为0.4mm~1.5mm;所述点状N电极的直径为0.4mm~1.5mm,与所述指状电极的同一指部的两个相邻点状N电极之间的距离0.7mm~10mm,所述线型N电极的宽度为0.4mm~1.5mm;所述点状P电极和所述点状N电极的总个数为1000~40000个。
5.根据权利要求4所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在 于:所述点状电极或者线型电极为银浆、导电高分子、导电胶或焊锡中的任一种;与所述P电极连接和与所述N电极连接并相邻的指状电极的指部之间的距离为0.1mm~20mm。
6.根据权利要求1所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述指状电极指部表面镀有低熔点材料或涂覆有导电胶;所述低熔点材料为锡、锡铅合金、锡铋合金或锡铅银合金中的任一种;所述指状电极指部的镀层厚度或导电胶层厚度为5μm~50μm;所述指状电极指部的数量为10根~500根。
7.根据权利要求5所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述导电胶为低电阻率导电粘接胶,其主要成分为导电粒子和高分子粘接剂;所述导电胶中的导电粒子为金、银、铜、镀金镍、镀银镍或镀银铜中的任一种或几种的混合;所述导电粒子的形状为球形、片状、橄榄状或针状中的任一种或几种的混合;导电粒子的粒径为0.01μm~5μm;所述导电胶中的高分子粘接剂为环氧树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂或有机硅树脂中的任一种或任几种的混合,所述粘接剂可以热固化或光固化。
8.根据权利要求1所述的无主栅高效率背接触太阳能电池模块,其特征在于:所述P电极与所述N电极之间的绝缘层处设置有热塑性树脂或热固性树脂;所述树脂为乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚烯烃树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、有机硅树脂中的任一种或任几种。
9.无主栅高效率背接触太阳能电池组件,包括由上至下连接的前层材料、封装材料、太阳能电池层、封装材料、背层材料,其特征在于:所述太阳能电池层包括若干个太阳能电池模块,所述太阳能电池模块为权利要求1-8任一项所述的太阳能电池模块,所述太阳能电池模块通过指状电极的基部设置的汇流条电极电连接。
10.根据权利要求9所述的无主栅高效率背接触太阳能电池组件,其特征在于:所述太阳电池层的电池片个数为1~120个,其中,包括1~120个电池模 块,所述电池模块包括1~120个电池片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的