[实用新型]发光二极管芯片及具有此的发光器件

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

第一图案区域，具有至少一个凹陷部；

第二图案区域，包围所述第一图案区域，

其中，所述第一图案区域具有依次层叠于基板上的第一导电型氮化物系半导体层、活性层、第二导电型氮化物系半导体层、上部电极层以及上部凸块层；

所述第二图案区域具有层叠于所述基板上的第一导电型氮化物系半导体层、下部电极层以及下部凸块层；

所述第一图案区域在所述凹陷部具有至少一个陷入突起图案。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一图案区域和第二图案区域的所述第一导电型氮化物系半导体层以物理方式相互连接。

3.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凹陷部包括具有具备预定的宽度的U字、V字以及“匸”字形态中的一种形态的区域。

4.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述凹陷部布置为包围所述下部凸块层。

5.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述下部电极层和所述上部电极层分别沿着定义所述第一图案区域和所述第二图案区域的边界线而形成。

6.如权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述上部凸块层沿着定义所述上部电极层的边界线而形成。

7.如权利要求5所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述下部凸块层布置于被所述凹陷部所包围的所述下部电极层的一部分上。

8.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

第一图案层区域；

第二图案层区域，布置于所述第一图案层区域的内部；

第三图案层区域，包围所述第一图案层区域，

其中，所述第一图案层区域具有层叠于基板上的第一导电型氮化物系半导体层以及下部电极层；

所述第二图案层区域和所述第三图案层区域具有依次层叠于所述基板上的第一导电型氮化物系半导体层、活性层、第二导电型氮化物系半导体层以及上部电极层。

9.如权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一图案层区域至第三图案层区域的所述第一导电型氮化物系半导体层以物理方式相互连接。

10.如权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述第二图案层区域的所述活性层和所述第二导电型氮化物系半导体层布置为通过第一图案层区域而与所述第三图案层区域的所述活性层和所述第二导电型氮化物系半导体层相互分离。

11.如权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，还包括：

下部凸块层，布置于所述下部电极层上；

上部凸块层，布置于所述上部电极层上。

12.如权利要求11所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述下部凸块层沿着到所述第二图案层区域的所述第二导电型氮化物系半导体层为止的距离与到所述第三图案层区域的所述第二导电型氮化物系半导体层为止的距离相等的位置进行布置。

13.如权利要求12所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述下部凸块层布置为平行于所述第一图案层区域与所述第二图案层区域之间的第一边界线以及所述第一图案层区域与所述第三图案层区域之间的第二边界线，且所述下部凸块层的长度方向的中心轴沿着到所述第一边界线为止的距离与到所述第二边界线为止的距离相等的位置而进行布置。

14.一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

第一图案层区域，具有至少一个凹陷部；

第二图案层区域，包围所述第一图案层区域，

其中，所述第一图案层区域具有层叠于基板上的第一导电型氮化物系半导体层以及下部电极层；

所述第二图案层区域具有依次层叠于所述基板上的第一导电型氮化物系半导体层、活性层、第二导电型氮化物系半导体层以及上部电极层。

15.如权利要求14所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述下部凸块层沿着到两侧方向上相邻的所述第二导电型氮化物系半导体层为止的距离相等的位置而布置于所述第一图案层区域的内部。