[实用新型]一种LED发光组件有效
申请号: | 201420567000.5 | 申请日: | 2014-09-29 |
公开(公告)号: | CN204155933U | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 方干;邓启爱 | 申请(专利权)人: | 深圳市两岸光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48 |
代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 罗志伟 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 发光 组件 | ||
技术领域
本实用新型属于照明领域,尤其涉及一种采用倒装封装工艺应用在MLCOB模组上制作的LED发光组件。
背景技术
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)芯片是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。
目前LED 多芯片大多采用单芯片金线键合封装。该方法是在外延片上制作出多个LED 芯片,然后将制作好的外延片进行切割,分割成单个的小LED 芯片,再利用固晶胶将单个的小LED 芯片固定于基板上,然后通过正装LED 金线键合将每个LED 芯片进行电连接,最后在每个小LED 芯片的上表面涂覆硅胶,防止外部的水分和空气对LED 芯片进行破坏。
首先,在LED 多芯片的制作工艺中,切割外延片上的LED 芯片时,会对LED 芯片造成机械损伤,进而影响LED 芯片的可靠性。其次,采用正装LED 金线键合方式将多个LED 芯片进行电连接时,工艺复杂,容易死灯,且金线比较细强度较低,受到外力时很容易损伤;生产中出现金线焊接工位,使生产效率偏低,生产成本高,现在工艺用金线焊接对使用设备要求高,生产工艺要求高。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种LED发光组件,旨在解决使用金线作为键合线连接芯片,制作工艺复杂、容易死灯、生产效率低的问题。
本实用新型是这样实现的,一种LED发光组件,该LED发光组件包括基板、多个晶片、粘合剂及固化剂,多个所述晶片通过所述粘合剂贴于所述基板上,用所述固化剂将所述晶片固晶于所述基板上、且所述基板上的所述晶片的PN结导通,固晶于所述基板上的所述晶片的高度相等,多个所述晶片均匀的排列在所述基板上,相邻的两个所述晶片之间的间距相等。
本实用新型的进一步技术方案是:所述固化剂将所述晶片固化呈半球形。
本实用新型的进一步技术方案是:所述基板包括导电层、绝缘层及导热层,所述绝缘层设于所述导热层上,所述导电层设于所述导热层上。
本实用新型的进一步技术方案是:所述固化剂采用胶水与荧光粉混合制成。
本实用新型的进一步技术方案是:多个所述晶片以串联方式或并联方式或串并联方式固晶于所述基板上。
本实用新型的有益效果是:采用倒装封装技术工艺,不需要金线焊接导通、直接将电极固晶在基板上,使其LED发光组件制作工艺简单、性能稳定、生产效率高、成本低廉、不易出现死灯,可实现自动化生产。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的LED发光组件的截面图;
图2是本实用新型实施例提供的LED发光组件的正视图。
具体实施方式
附图标记:10-晶片 20-基板 30-粘合剂 40-固化剂 50-LED芯片 201-导热层 202-绝缘层 203-导电层
图1示出了本实用新型提供的LED发光组件,该LED发光组件包括基板20、多个晶片10、粘合剂30及固化剂40,多个所述晶片10通过所述粘合剂30贴于所述基板20上,用所述固化剂40将所述晶片10固晶于所述基板20上、且所述基板20上的所述晶片10的PN结导通,固晶于所述基板20上的所述晶片10的高度相等,多个所述晶片10均匀的排列在所述基板20上,相邻的两个所述晶片10之间的间距相等。采用倒装封装技术工艺,不需要金线焊接导通、直接将电极固晶在基板20上,使其LED发光组件制作工艺简单、性能稳定、生产效率高、成本低廉、不易出现死灯,可实现自动化生产。
所述固化剂40将所述晶片10固化呈半球形。
所述基板20包括导电层203、绝缘层202及导热层201,所述绝缘层202设于所述导热层201上,所述导电层203设于所述导热层203上。
所述固化剂40采用胶水与荧光粉混合制成。
多个所述晶片10以串联方式或并联方式或串并联方式固晶于所述基板20上。
在基板20上晶片10与粘合剂30、固化剂40组成半球形的LED芯片50,均匀的分别在基板20上,使得LED芯片50在基板上整齐排列。
通过倒装技术将LED芯片50固晶在基板上使LED 的PN结导通,通电后LED可以发出光亮,现时可以将此单颗LED芯片50进行多个串并联的方式固晶在基板20上这样就形成我们所需要MLCOB。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的