[实用新型]一种PECVD系统的玻璃限位装置有效
| 申请号： | 201420567958.4 | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN204144232U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 鄢开均;王建强;任适;汪涛 | 申请（专利权）人： | 四川汉能光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 郭霞 |
| 地址： | 610200 四川省成都市双流县*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 pecvd 系统 玻璃 限位 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种PECVD系统的玻璃限位装置，包括卡片器本体，所述卡片器本体设置有电极板卡槽，其特征在于：所述电极板卡槽的左右两侧分别设置有第一隔板和第二隔板，所述第一隔板与所述卡片器本体之间形成第一玻璃板卡槽，所述第二隔板与所述卡片器本体之间形成第二玻璃板卡槽。
2.根据权利要求1所述的PECVD系统的玻璃限位装置，其特征在于：所述电极板卡槽的左右两侧的结构对称，所述第一玻璃板卡槽与所述第二玻璃板卡槽分别位于所述电极板卡槽的左右两侧，所述第一玻璃板卡槽与所述第二玻璃板卡槽均为U型槽。
3.根据权利要求1所述的PECVD系统的玻璃限位装置，其特征在于：所述第一隔板和所述第二隔板的厚度均为1mm。
4.根据权利要求1所述的PECVD系统的玻璃限位装置，其特征在于：所述卡片器本体采用赖高温的塑料制成。
5.根据权利要求4所述的PECVD系统的玻璃限位装置，其特征在于：所述卡片器本体采用四氟材料制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川汉能光伏有限公司，未经四川汉能光伏有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420567958.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：大功率半导体芯片的封装组件
- 下一篇：一种用于智能熔断器的熔体
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
