[实用新型]新型的集成单体芯片三轴磁敏传感器有效
| 申请号： | 201420569471.X | 申请日： | 2014-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN204086509U | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 白茹;钱正洪;朱华辰 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 杜军 |
| 地址： | 310018 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 新型 集成 单体 芯片 三轴磁敏 传感器 | ||
【权利要求书】：
1. 新型的集成单体芯片三轴磁敏传感器，其特征在于：由磁电子敏感电阻单元、具有几何增强效应的硅基磁敏电阻单元以及信号处理集成电路三部分组成，且集成在同一硅基衬底上形成单体芯片，其中磁电子敏感单元有两个，一个具有水平X轴方向的磁敏感特性，另一个具有水平Y轴方向的磁敏感特性，具有几何增强效应的硅基磁敏电阻单元具有Z轴垂直方向的磁敏感特性，磁电子敏感电阻单元以及具有几何增强效应的硅基磁敏电阻单元结合信号处理电路实现对三轴方向上的磁场的检测。
2.根据权利要求1所述的集成单体芯片三轴磁敏传感器，其特征在于：磁电子敏感电阻单元为基于巨磁电阻材料制成的电阻或由电阻组成的电桥。
3.根据权利要求1所述的集成单体芯片三轴磁敏传感器，其特征在于：磁电子敏感电阻单元为基于磁隧道结材料制成的电阻或由电阻组成的电桥。
4.根据权利要求1所述的集成单体芯片三轴磁敏传感器，其特征在于：具有几何增强效应的硅基磁敏电阻单元，在单晶硅上配置有四个或者两个电极。
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