[实用新型]一种半桥多炉头切换电磁感应加热控制装置有效
申请号: | 201420577274.2 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN204131763U | 公开(公告)日: | 2015-01-28 |
发明(设计)人: | 丘守庆;许申生;刘春光;唐德强 | 申请(专利权)人: | 深圳市鑫汇科股份有限公司 |
主分类号: | H05B6/06 | 分类号: | H05B6/06 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人: | 郭伟刚 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安13区宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半桥多炉头 切换 电磁感应 加热 控制 装置 | ||
1.一种半桥多炉头切换电磁感应加热控制装置,其特征在于,包括:用于检测交流市电过零点的市电过零检测电路(2)、控制器(3)、用于根据加热炉头选择信号启动和关闭相应炉头的加热的可控硅切换电路(4)、用于控制所启动的加热炉头的加热功率的大功率半桥谐振电路(5)和用于根据谐振频率信号驱动所述大功率半桥谐振电路(5)的大功率半桥驱动电路(6);
还包括用于为所述市电过零检测电路(2)、控制器(3)、可控硅切换电路(4)、大功率半桥谐振电路(5)和大功率半桥驱动电路(6)提供直流电的开关电源电路(1);
所述市电过零检测电路(2)的输出端连接至所述控制器(3)的中断输入端,以将过零信号输入至所述控制器(3);
所述控制器(3)的输出端连接至所述可控硅切换电路(4)和所述大功率半桥驱动电路(6)的输入端,以根据过零信号向所述可控硅切换电路(4)和所述大功率半桥驱动电路(6)分别输出加热炉头选择信号和谐振频率信号。
2.根据权利要求1所述半桥多炉头切换电磁感应加热控制装置,其特征在于,所述市电过零检测电路(2)包括第一电阻、第二电阻、第一电容和第一三极管;其中,
所述第一三极管的基极分别连接所述第一电阻和所述第一电容的一端,所述第一电阻的另一端连接交流市电的一端,所述第一电容的另一端接地;
所述第一三极管的发射极接地;
所述第一三极管的集电极分别连接所述第二电阻的一端和所述控制器(3)的中断输入端,所述第二电阻的另一端连接至所述开关电源电路的输出端。
3.根据权利要求1所述半桥多炉头切换电磁感应加热控制装置,其特征在于,所述市电过零检测电路(2)提供的过零信号用于使所述控制器(3)输出的加热炉头选择信号和谐振频率信号的过零点与交流市电过零点同步,且每个加热炉头的选择信号和谐振频率信号持续的时间为交流市电周期一半的整倍数。
4.根据权利要求1所述半桥多炉头切换电磁感应加热控制装置,其特征在于,所述可控硅切换电路(4)包括多个相同的可控硅切换子电路;其中,每个可控硅切换子电路包括:第三电阻、第四电阻、第五电阻、第二三极管、第一可控硅、第一光耦和第一电磁感应线盘;其中,在每个可控硅切换子电路中,
所述第三电阻的一端连接至所述第一光耦的输入端,所述第一光耦的输出端连接至所述第四电阻的一端,所述第四电阻的另一端连接至所述第二三极管的基极,所述第二三极管的发射极接地,所述第二三极管的集电极连接至所述第五电阻的一端,所述第五电阻的另一端连接至所述第一可控硅的控制端,所述第一可控硅主电输入端连接至所述大功率半桥谐振电路(5)的电容上,所述第一可控硅主电输出端连接至所述第一电磁感应线盘的一端,所述第一电磁感应线盘的另一端连接至所述大功率半桥谐振电路(5)的IGBT开关上;
所述控制器(3)包括多个输出端口,所述多个输出端口一一连接至所述多个相同的可控硅切换子电路中的所述第三电阻的另一端。
5.根据权利要求4所述半桥多炉头切换电磁感应加热控制装置,其特征在于,所述大功率半桥谐振电路(5)包括大功率半桥串联谐振电路(51)和大功率半桥并联谐振电路(52);所述大功率半桥驱动电路(6)包括大功率半桥串联谐振驱动电路(61)和大功率半桥并联谐振驱动电路(62);其中,
所述大功率半桥串联谐振驱动电路(61)用于驱动所述大功率半桥串联谐振电路(51);
所述大功率半桥并联谐振驱动电路(62)用于驱动所述大功率半桥并联谐振电路(52)。
6.根据权利要求5所述半桥多炉头切换电磁感应加热控制装置,其特征在于,所述大功率半桥串联谐振电路(51)包括第二电容、第三电容、第一IGBT开关和第二IGBT开关;其中,
所述第二电容一端接地,所述第二电容的另一端分别连接至所述第三电容的一端和所述可控硅切换电路(4)的所述第一可控硅主电输入端,所述第三电容的另一端分别连接至交流市电整流输出端和所述第一IGBT开关的集电极,所述第一IGBT开关的发射极分别连接至所述第二IGBT开关的集电极和所述可控硅切换电路(4)的所述第一电磁感应线盘的另一端,所述第二IGBT开关的发射极接地,所述第一IGBT开关和所述第二IGBT开关的栅极分别连接至所述大功率半桥串联谐振驱动电路(61)的输出端。
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