[实用新型]可升降臭氧氧化设备有效
申请号: | 201420580141.0 | 申请日: | 2014-10-09 |
公开(公告)号: | CN204257612U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 费存勇;王志刚;鲁伟明;李省;初仁龙 | 申请(专利权)人: | 泰州德通电气有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 赵枫 |
地址: | 225300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 升降 臭氧 氧化 设备 | ||
1.一种可升降臭氧氧化设备,由底柱(1)、下底板(2)、臭氧激发装置(3)组成,其特征是:在所述的下底板(2)与所述的臭氧激发装置(3)之间设置有升降装置(4),所述升降装置(4)包括有上底板(5)、导柱(6)及传动装置(7)。
2.根据权利要求1所述的一种可升降臭氧氧化设备,其特征是:所述臭氧激发装置(3)与所述上底板(5)的正面固定连接,所述的上底板(5)的反面设置有多个圆形定位凹槽(8),所述圆形定位凹槽(8)的数量至少有四个,所述圆形定位凹槽(8)的内部设置有多个螺纹通孔(10),所述的螺纹通孔(10)以圆形定位凹槽(8)中心对称排列。
3. 根据权利要求1所述的一种可升降臭氧氧化设备,其特征是:所述的导柱(6)呈阶梯状(9),在所述阶梯状(9)处设置有多个螺纹通孔(10),所述螺纹通孔(10)以导柱(6)的中心对称分布,在导柱的侧边设置有槽(11),在所述的槽(11)上固定连接有齿条(15)。
4. 根据权利要求1所述的一种可升降臭氧氧化设备,其特征是:所述的下底板(2)上正面设置有多个圆形通孔(12)。
5. 根据权利要求1所述的一种可升降臭氧氧化设备,其特征是:所述传动装置(7)包括水平设置于两个相邻两个导柱之间的导向轴(13),所述导向轴(13)的两端各设置有一个同步轮(14),所述的导柱(6)的竖直方向上固定连接有齿条(15),每个同步轮(14)与相对应导柱(6)上的齿条(15)啮合,所述导向轴(13)上还设置有位于两个同步轮(14)之间的驱动轮(16),所述驱动轮(16)连接到动力装置(17)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州德通电气有限公司,未经泰州德通电气有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420580141.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于监测互连金属层间粘合性的测试结构
- 下一篇:一种荧光粉环保回收装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造