[实用新型]一种对准测量结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体制造领域，特别是涉及一种对准测量结构。

背景技术

近年来，随着半导体技术的不断进步，器件的功能也不断强大，然而随之而来的对于半导体制造技术的要求也与日俱增。光刻是制造高级半导体器件和大规模集成电路的关键工艺之一，并常用于刻划光栅、线纹尺和度盘等的精密线纹。光刻是利用照相复制与化学腐蚀相结合的技术，在工件表面制取精密、微细和复杂薄层图形的化学加工方法，其利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将光罩上的光刻图形刻制到被加工工件表面上。光刻半导体晶片二氧化硅的主要步骤是：首先，在被加工工件表面涂布光致抗蚀剂；然后，对准光罩和晶圆，并进行曝光处理；再用显影液溶解未感光的光致抗蚀剂层；接着，用腐蚀液溶解掉无光致抗蚀剂保护的二氧化硅层；最后，去除已感光的光致抗蚀剂层，单次光刻结束。

光刻过程中，光罩与晶圆的对准偏差会导致器件和金属连线的电气特性发生改变，对半导体芯片的制造非常重要，因此，光刻对准精度必须得到很好的控制，尤其是在制程工艺越来越高、线宽越来越小的情况下，光刻对准精度的要求也越来越高。传统工艺中对准测量是利用OVL(Overlay，对准量测)机台完成的，其标准操作程序(Standard Operation Procedure)是采用OVL对准测量机台的准量测检测镜头依次对准曝光单元101的角区域的4个对准测量点A1、A2、A3、及A4，如图1所示。

但是，如果光刻对准量测程序设置出错，后续的对准信息也会出错，将导致FT(Final Test)中测试数据的偏差并发生MRB(Material Review Board，即报废量比较大的异常事件)。如图2所示，设置要求的测量点为A1、A2、A3、A4，若光刻对准量测程序设置的测量点分别为A1、A2、A3’、A4’，此时镜头被测量点A1、A2、A3’、A4’包围，从位置检查过程中很难发现问题，这将导致后续误差增大，进而影响后续性能及产品良率。

鉴于现有技术的以上缺陷，如何提能提供一种有效避免对准测量错误的对准测量结构是本领域技术人员亟待解决的问题。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种对准测量结构，用于解决现有技术中对准测量容易发生错误的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种对准测量结构，所述对准测量结构包括曝光单元以及分别分设置于所述曝光单元四个角区域的第一对准标记、第二对准标记、第三对准标记及第四对准标记，其中，所述第三对准标记与第四对准标记之间的距离大于所述第一对准标记及第二对准标记之间的距离。

作为本实用新型的对准测量结构的一种优选方案，所述曝光单元的形状为矩形。

作为本实用新型的对准测量结构的一种优选方案，所述第一对准标记、第二对准标记、第三对准标记及第四对准标记所连成的图形为梯形。

作为本实用新型的对准测量结构的一种优选方案，所述第一对准标记及第二对准标记位于所述曝光单元的第一侧，所述第三对准标记与第四对准标记位于所述曝光单元的第二侧，其中，所述第一侧与第二侧为所述曝光单元的相对两侧。

作为本实用新型的对准测量结构的一种优选方案，所述第一对准标记及第二对准标记之间的距离不大于所述曝光单元的第一侧的边长。

作为本实用新型的对准测量结构的一种优选方案，所述第三对准标记与第四对准标记之间的距离不大于所述曝光单元的第二侧的边长。

如上所述，本实用新型提供一种对准测量结构，所述对准测量结构包括曝光单元以及分别分设置于所述曝光单元四个角区域的第一对准标记、第二对准标记、第三对准标记及第四对准标记，其中，所述第三对准标记与第四对准标记之间的距离大于所述第一对准标记及第二对准标记之间的距离。本实用新型通过改变曝光单元角区域的四个对准标记的位置关系，大大提高了OVL对准机台对四个对准标记的识别和分辨能力，从而提高对准测量的准确性，提高产品良率以及节省人力成本。本实用新型结构简单，适用于工业检测。

附图说明

图1显示为现有技术中的一种对准测量结构的结构示意图。

图2显示为现有技术中的对准测量结构对准错误示例的示意图。

图3显示为本实用新型的对准测量结构的结构示意图。

图4显示为本实用新型的对准测量结构的一种实施示例的示意图。

图5显示为本实用新型的对准测量结构的另一种实施示例的示意图。

元件标号说明

101    曝光单元