[实用新型]一种光电传感器有效
申请号: | 201420582182.3 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN204118079U | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 李杰 | 申请(专利权)人: | 重庆泽嘉机械有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/0203;H01L31/0232 |
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地址: | 402368 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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搜索关键词: | 一种 光电 传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,尤其涉及一种光电传感器。
背景技术
光电二极管工作原理光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结,和普通二极管相比,在结构上不同的是,为了便于接受入射光照,PN结面积尽量做的大一些,电极面积尽量小些,而且PN结的结深很浅,一般小于1微米。光电二极管是在反向电压作用之下工作的。没有光照时,反向电流很小(一般小于0.1微安)。当有光照时,携带能量的光子进入PN结后,把能量传给共价键上的束缚电子,使部分电子挣脱共价键,从而产生电子-空穴对。它们在反向电压作用下参加漂移运动,使反向电流明显变大,光的强度越大,反向电流也越大。这种特性称为“光电导”。
目前,半导体光电传感器技术已趋于完善,但仍然存在结构复杂、制造成本高、灵敏度低、环境适应能力差等问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构简单、易封装、制造成本低廉、光电转换灵敏、稳定的光电传感器。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种光电传感器,包括管壳,所述管壳底端分别设置有阳极引脚、阴极引脚,所述阳极引脚、阴极引脚分别穿过陶瓷管座,所述陶瓷管座上方设置有半导体芯片,所述半导体芯片通过引线与管座连接,所述半导体芯片上方设置有玻璃透镜,所述玻璃透镜安装于管壳顶端。
当光从玻璃透镜进入光电传感器,激发半导体芯片产生光电效应,从而产生光电流,实现的光电的转换,所述光电流通过引脚输出到外电路被放大,最后被检查,根据光电流的实际大小可以测定光强度的大小,光电传感器的检测范围与玻璃透镜的光透过波长范围相对应,所述陶瓷基座具有绝缘特性,用于阳极引脚、阴极引脚之间的绝缘。
在上述技术方案的基础上,本实用新型还可以做如下改进。
进一步,所述阳极引脚、阴极引脚为镀铜金属引脚,所述镀铜金属引脚强度大,有利于对光电传感器的支撑;导电性好、电阻率低,有利于降低对检测信号的干扰。
进一步,所述引线为铜金属线,所述筒金属线导电性好、柔性强度大,有力于增强光电传感器的耐使用性,延长光电传感器的使用寿命。
进一步,所述管壳包括透镜安装结构,所述玻璃透镜固定在透镜安装结构上,所述透镜安装结构用于玻璃透镜的对称固定。
进一步,所述玻璃透镜为环氧树脂材质,所述环氧树脂材料硬性强度大,有利于增强光电传感器的撞击承受力,同时环氧树脂透明度高,有利于光的进入。
本实用新型的有益效果是:结构简单、易封装、制造成本低廉、光电转换灵敏、稳定。
附图说明
图1为本实用新型一种光电传感器结构示意图;
附图中,各标号所代表的部件列表如下:1、管壳,2、半导体芯片,3、玻璃透镜,4、透镜安装结构,5、引线,6、阳极引脚,7、阴极引脚,8、陶瓷管座。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本实用新型,并非用于限定本实用新型的范围。
如图1所示,一种光电传感器,包括管壳1,所述管壳1底端分别设置有阳极引脚6、阴极引脚7,所述阳极引脚6、阴极引脚7分别穿过陶瓷管座8,所述陶瓷管座8上方设置有半导体芯片2,所述半导体芯片2通过引线5与陶瓷管座8连接,所述半导体芯片2上方设置有玻璃透镜3,所述玻璃透镜3安装于管壳1顶端。
当光从玻璃透镜3进入光电传感器,激发半导体芯片2产生光电效应,从而产生光电流,实现的光电的转换,所述光电流通过引脚输出到外电路被放大,最后被检查,根据光电流的实际大小可以测定光强度的大小,光电传感器的检测范围与玻璃透镜3的光透过波长范围相对应,所述陶瓷基座8具有绝缘特性,用于阳极引脚6、阴极引脚7之间的绝缘。
所述阳极引脚6、阴极引脚7为镀铜金属引脚,所述镀铜金属引脚强度大,有利于对光电传感器的支撑;导电性好、电阻率低,有利于降低对检测信号的干扰;所述引线5为铜金属线,所述筒金属线导电性好、柔性强度大,有力于增强光电传感器的耐使用性,延长光电传感器的使用寿命;所述管壳1包括透镜安装结构4,所述玻璃透镜3固定在透镜安装结构4上,所述透镜安装结构4用于玻璃透镜3的对称固定;所述玻璃透镜3为环氧树脂材质,所述环氧树脂材料硬性强度大,有利于增强光电传感器的撞击承受力,同时环氧树脂透明度高,有利于光的进入。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的