[实用新型]一种阵列基板及液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 201420585072.2 申请日: 2014-10-10
公开(公告)号: CN204065625U 公开(公告)日: 2014-12-31
发明(设计)人: 程鸿飞;先建波;乔勇;卢永春;马永达;徐健;李文波;李盼 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1368
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 液晶 显示装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,应用于垂直排列模式的液晶显示装置,所述阵列基板包括由相邻的数据线围成的多列像素单元,每列像素单元包括多个像素单元,每个像素单元中包括亚像素电极、公共电极线、薄膜晶体管,其中,所述亚像素电极包括第一亚像素电极、第二亚像素电极,所述公共电极线包括第一公共电极线、第二公共电极线,所述薄膜晶体管包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管,其特征在于,每个像素单元还包括:

在所述第一亚像素电极与所述第二亚像素电极之间设置有一根栅线;

所述栅线分别与所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第三薄膜晶体管的栅极电性相连。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线分别与所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第三薄膜晶体管的栅极电性相连,包括:

所述第一薄膜晶体管的栅极可以为所述栅线的第一凸出部,所述第二薄膜晶体管的栅极可以为所述栅线的第二凸出部,所述第三薄膜晶体管的栅极可以为所述栅线的一部分。

3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管的源极与数据线电性相连,所述第二薄膜晶体管的源极与数据线电性相连,所述第三薄膜晶体管的源极与所述第一亚像素电极电性相连;

所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一亚像素电极电性相连,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二亚像素电极电性相连,所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二公共电极线电性相连或者所述第一公共电极线电性相连。

4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极线和所述第二公共电极线分别位于栅线的两侧,所述第一公共电极线靠近所述第一亚象素电极,所述第二公共电极线靠近所述第二亚象素电极。

5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,每一所述公共电极线包括,与所述栅线平行的部分、与所述数据线平行的部分;

所述第一公共电极线与所述第一亚像素电极部分重叠或全部重叠,在所述第一公共电极线与所述第一亚像素电极重叠的部分,形成第一存储电容;所述第二公共电极线与所述第二亚像素电极部分重叠或全部重叠,在所述第二公共电极线与所述第二亚像素电极重叠的部分,形成第二存储电容。

6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,每一所述亚像素电极包括:与栅线平行的根茎、与数据线平行的根茎、分支部以及对应于所述分支部的狭缝。

7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第三薄膜晶体管的沟道宽长比小于所述第一薄膜晶体管的沟道宽长比。

8.根据权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第二薄膜晶体管的沟道宽长比等于所述第一薄膜晶体管的沟道宽长比。

9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一亚像素电极的面积大于或者等于所述第二亚像素电极的面积。

10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述第一亚像素电极的面积最大值为所述第二亚像素电极的面积的1.5倍。

11.一种液晶显示装置,包括阵列基板、彩膜基板以及位于所述阵列基板与所述彩膜基板之间的液晶层,其特征在于,所述阵列基板为权利要求1至10任一项所述的阵列基板。

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