[实用新型]离子注入角度测量装置及离子注入系统有效
申请号: | 201420585667.8 | 申请日: | 2014-10-10 |
公开(公告)号: | CN204230207U | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 王锦喆 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67;H01J37/317 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 100176 北京市大兴*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 注入 角度 测量 装置 系统 | ||
1.一种离子注入角度测量装置,适于测量离子束注入的角度,其特征在于,所述离子注入角度测量装置至少包括:
第一阵列结构,所述第一阵列结构中包括多个沿横向分布的法拉第杯,所述法拉第杯包括开口端和底部,所述开口端均朝向所述离子束入射方向;所述法拉第杯自所述第一阵列结构中间至两侧依次倾斜,使得两相邻法拉第杯之间形成相同角度的夹角;
第二阵列结构,所述第二阵列结构中包括多个沿纵向分布的法拉第杯,所述法拉第杯包括开口端和底部,所述开口端均朝向所述离子束入射方向;所述法拉第杯自所述第二阵列结构中间至两侧依次倾斜,使得两相邻法拉第杯之间形成相同角度的夹角;
地线,与所述第一阵列结构中的法拉第杯的底部和所述第二阵列结构中的法拉第杯的底部电连接;
多个安培表,分别位于所述每个法拉第杯与所述地线之间。
2.根据权利要求1所述的离子注入角度测量装置,其特征在于:所述第一阵列结构中的法拉第杯开口端自所述第一阵列结构中间至两侧依次向两侧倾斜;所述第二阵列结构中的法拉第杯开口端自所述第二阵列结构中间至两侧依次向两侧倾斜。
3.根据权利要求1所述的离子注入角度测量装置,其特征在于:所述第一阵列结构中相邻两法拉第杯之间形成的夹角为0.05°~0.15°;所述第二阵列结构中相邻两法拉第杯之间形成的夹角为0.05°~0.15°。
4.根据权利要求1所述的离子注入角度测量装置,其特征在于:所述第一阵列结构中相邻两法拉第杯之间形成的夹角为0.1°;所述第二阵列结构中相邻两法拉第杯之间形成的夹角为0.1°。
5.根据权利要求1所述的离子注入角度测量装置,其特征在于:还包括一壳体,适于放置和固定所述第一阵列结构中的法拉第杯和所述第二阵列结构中的法拉第杯。
6.一种离子注入系统,其特征在于:所述离子注入角度测量装置至少包括:
产生离子束的离子源;
扫描系统,位于所述离子源的下游,适于控制离子束注入的束宽和离子束注入的角度;
离子注入角度测量装置,所述离子注入角度测量装置至少包括第一阵列结构、第二 阵列结构、地线和多个安培表;其中,所述第一阵列结构中包括多个沿横向分布的法拉第杯,所述法拉第杯包括开口端和底部,所述开口端均朝向所述离子束入射方向;所述法拉第杯自所述第一阵列结构中间至两侧依次倾斜,使得两相邻法拉第杯之间形成相同角度的夹角;所述第二阵列结构中包括多个沿纵向分布的法拉第杯,所述法拉第杯包括开口端和底部,所述开口端均朝向所述离子束入射方向;所述法拉第杯自所述第二阵列结构中间至两侧依次倾斜,使得两相邻法拉第杯之间形成相同角度的夹角;所述地线与所述第一阵列结构中的法拉第杯的底部和所述第二阵列结构中的法拉第杯的底部电连接;所述安培表分别位于所述每个法拉第杯与所述地线之间;
控制系统,适于获得所述离子注入角度测量装置中安培表测得的电流,并根据所获得的电流控制所述扫描系统进行角度补偿。
7.根据权利要求6所述的离子注入系统,其特征在于:所述第一阵列结构中的法拉第杯开口端自所述第一阵列结构中间至两侧依次向两侧倾斜;所述第二阵列结构中的法拉第杯开口端自所述第二阵列结构中间至两侧依次向两侧倾斜。
8.根据权利要求6所述的离子注入系统,其特征在于:所述第一阵列结构中相邻两法拉第杯之间形成的夹角为0.05°~0.15°;所述第二阵列结构中相邻两法拉第杯之间形成的夹角为0.05°~0.15°。
9.根据权利要求6所述的离子注入系统,其特征在于:所述第一阵列中相邻两法拉第杯之间形成的夹角为0.1°;所述第二阵列中相邻两法拉第杯之间形成的夹角为0.1°。
10.根据权利要求6所述的离子注入系统,其特征在于:所述离子注入角度测量装置还包括一壳体,适于放置和固定所述第一阵列结构中的法拉第杯和所述第二阵列结构中的法拉第杯。
11.根据权利要求6所述的离子注入系统,其特征在于:还包括一质谱分析仪,位于所述离子源和所述扫描系统之间,适于分开/提取具有限定质量和/或电荷的离子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造