[实用新型]一种迟滞软启动电路有效
申请号: | 201420587130.5 | 申请日: | 2014-10-08 |
公开(公告)号: | CN204244067U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 王文建 | 申请(专利权)人: | 浙江商业职业技术学院 |
主分类号: | H02M1/36 | 分类号: | H02M1/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310053 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 迟滞 启动 电路 | ||
1.迟滞软启动电路,其特征在于包括分压电路、偏置电路、迟滞比较电路和电容充放电电路:
所述分压电路是对基准电压进行分压作为所述偏置电路和所述迟滞比较电路和所述电容充放电电路的参考电压;
所述偏置电路是提供给所述迟滞比较电路偏置电流;
所述迟滞比较电路是对所述电容充放电电路的电容上的电压和所述分压电路分压出来的参考电压进行比较;
所述电容充放电电路是对所述充放电电路的电容上进行充放电。
2.如权利要求1所述的迟滞软启动电路,其特征在于所述分压电路包括第一电阻、第二电阻和第三电阻:
所述第一电阻的一端接基准电压VREF,另一端接所述第二电阻的一端和所述迟滞比较电路和所述电容充放电电路;
所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述迟滞比较电路和所述电容充放电电路,另一端接所述偏置电路;
所述第三电阻的一端接所述第二电阻的一端和所述偏置电路,另一端接地。
3.如权利要求1所述的迟滞软启动电路,其特征在于所述偏置电路包括第一运放、第一PMOS管、第一NMOS管、第四电阻和第二PMOS管:
所述第一运放的正端接第二电阻的一端和第三电阻的一端,负端接所述第一NMOS管的源极和所述第四电阻的一端,输出端接所述第一NMOS管的栅极;
所述第一PMOS管的栅极接漏极和所述第一NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极,源极接电源VCC;
所述第一NMOS管的栅极接所述第一运放的输出端,漏极接所述第一PMOS管的漏极和栅极和所述第二PMOS管的栅极,源极接第四电阻的一端和所述第一运放的负端;
所述第四电阻的一端接所述第一运放的负端和所述第一NMOS管的源极,另一端接地;
所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第一NMOS管的漏极,漏极接所述迟滞比较电路,源极接电源VCC。
4.如权利要求1所述的迟滞软启动电路,其特征在于所述迟滞比较电路包括第三PMOS管、第二NMOS管、第四PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第五PMOS管和第六PMOS管:
所述第三PMOS管的栅极接漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,源极 接电源VCC;
所述第二NMOS管的栅极接所述第四PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极,漏极接所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极,源极接地;
所述第四PMOS管的栅极接第一电阻的一端和第二电阻的一端和电容充放电电路,漏极接所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极,源极接第二PMOS管的漏极和第五PMOS管的源极;
所述第三NMOS管的栅极接漏极和所述第二NMOS管的栅极和第四PMOS管的漏极和第五NMOS管的漏极和第四NMOS管的栅极,源极接地;
所述第四NMOS管的栅极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的漏极,漏极接所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第五PMOS管的漏极,源极接地;
所述第五NMOS管的栅极接所述第六NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第五PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极,漏极接所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极和所述第四PMOS管的漏极,源极接地;
所述第六NMOS管的栅极接漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第四NMOS管的漏极和所述第七NMOS管的栅极和所述第五PMOS管的漏极,源极接地;
所述第七NMOS管的栅极接所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第五PMOS管的漏极,漏极接所述第六PMOS管的漏极和所述电容充放电电路,源极接地;
所述第五PMOS管的栅极接所述电容充放电电路,漏极接所述第四NMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第六NMOS管的栅极和漏极和所述第七NMOS管的栅极,源极接所述第二PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的源极;
所述第六PMOS管的栅极接所述第三PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第七NMOS管的漏极和所述电容充放电电路,源极接电源VCC。
5.如权利要求1所述的迟滞软启动电路,其特征在于所述电容充放电电路包括第一反相器、第二反相器、第七PMOS管、第八PMOS管、第八NMOS管、第三反相器、第一电容、第九NMOS管和第十NMOS管:
所述第一反相器的输入端接第七NMOS管的漏极和第六PMOS管的漏极,输出端接所述第三反相器的输入端和所述第七PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极;
所述第二反相器的输入端接电源VCC,输出端接所述第八PMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极;
所述第七PMOS管的栅极接所述第一反相器的输出端和所述第三反相器的输入端和所述第十NMOS管的栅极,漏极接所述第八PMOS管的源极,源极接电源VCC;
所述第八PMOS管的栅极接所述第二反相器的输出端和所述第八NMOS管的栅极,漏极接所述第八NMOS管的漏极和所述第一电容的一端和第五PMOS管的栅极和第十NMOS管的漏极,源极接所述第七PMOS管的漏极;
所述第八NMOS管的栅极接所述第二反相器的输出端和所述第八PMOS管的栅极,漏极接所述第一电容的一端和所述第五PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的漏极,源极接地;
所述第三反相器的输入端接第一反相器的输出端和所述第七PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极,输出端接所述第九NMOS管的栅极;
所述第一电容的一端接所述第五PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的漏极和所述第八PMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极,另一端接地;
所述第九NMOS管的栅极接所述第三反相器的输出端,漏极接第一电阻的一端和第二电阻的一端和第四PMOS管的栅极,源极接所述第十NMOS管的源极和软启动信号输出;
所述第十NMOS管的栅极接所述第七PMOS管的栅极和所述第一反相器的输出端和所述第三反相器的输入端,漏极接所述第五PMOS管的栅极和所述第一电容的一端和所述第八PMOS管的漏极和所述第八NMOS管的漏极,源极接所述第九NMOS管的源极和软启动信号输出。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江商业职业技术学院,未经浙江商业职业技术学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420587130.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置