[实用新型]一种单端型半导体光放大器

说明书

技术领域：

    本实用新型涉及一种单端型半导体光放大器，属于半导体技术领域。

背景技术：

半导体光放大器是出现最早的光放大器，它的基本结构类似于无反馈或反馈量不足以引起震荡的半导体激光器，在与光纤进行耦合时，芯片两端与光纤的耦合损耗均在3DB以上，SOA输入端与光纤的耦合损耗将直接表现为放大器噪声因子的增加，造成SOA噪声特性的劣化。

实用新型内容：

针对上述问题，本实用新型要解决的技术问题是提供一种单端型半导体光放大器。

本实用新型的一种单端型半导体光放大器，它包含第一半导体放大器、第二半导体放大器、探测光装置、泵浦光装置，第一半导体与第二半导体连接，其中第一半导体放大器的一端与探测光装置 的一端输入连接，第二半导体放大器的一端与泵浦光装置的一端输入连接。

作为优选，所述的第一半导体放大器与第二半导体放大器的结构一样，属于相同类别的半导体。

作为优选，所述光放大器的一端涂有高反射涂层（HR），另一端涂有抗反射涂层（AR）。

本实用新型的有益效果：它结构设计合理，操作简单，使用方便，不仅能够有效的减少与光纤进行耦合时芯片两端与光纤的耦合损耗，而且还降低了造成SOA噪声特性的劣化程度。

附图说明：

为了易于说明，本实用新型由下述的具体实施及附图作以详细描述。

图1为本实用新型的结构示意图。

1-第一半导体；2-第二半导体；3-探测光装置；4-泵浦光装置。 

具体实施方式：

如图1所示，本具体实施方式采用以下技术方案：它包含第一半导体放大器1、第二半导体放大器2、探测光装置3、泵浦光装置4，第一半导体放大器1与第二半导体放大器2连接，其中第一半导体放大器1的一端与探测光装置3 的一端输入连接，第二半导体放大器2的一端与泵浦光装置4的一端输入连接。

其中，所述的第一半导体放大器1与第二半导体放大器2的结构一样，属于相同类别的半导体。

本具体实施方式中泵浦光的功率远大于探测光的功率，当探测光和泵浦光的信号都为‘1’时，因为第一半导体1右端有强泵浦光入射，泵浦光将竞争到第一半导体1中绝大部分的载流子浓度，探测光则被饱和吸收，所以第一半导体1右端可以视为输出为‘0’，只有当右端无输入时，探测光才能被第一半导体1放大，输出为‘1’；反过来也可进行，最后将第一半导体1与第二半导体2的输出耦合在一起，便可实现单端型半导体对光信号的放大。

以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定                                                。