[实用新型]光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及镀膜技术领域，尤其涉及一种光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置。

背景技术

1971年德国的Aisenberg和Chabot采用碳离子束首次制备出了具有金刚石特征的非晶态碳膜，由于所制备的薄膜具有与金刚石相似的性能，Aisenberg于1973年首次把它称之为类金刚钻石膜(DLC膜)。类金刚钻石膜有着和金刚石几乎一样的性质，如高硬度、耐磨损、高表面光洁度、高电阻率、优良的场发射性能，高透光率及化学惰性等，它的产品广泛应用在机械、电子、微电子机械系统(MEMS)、光学和生物医学等各个领域。类金刚钻石膜的沉积温度低、表面平滑，具有比金刚石膜更高的性价比且在相当广泛的领域内可以代替金刚钻石膜，所以自80年代以来一直是研究的热点。类金刚钻石膜(DLC膜)的低摩擦系数和高耐磨性使类金刚钻石膜已在切削工具、磁存储、人工关节等领域得到广泛的应用。

类金刚钻石膜(DLC)可以由等离子体辅助化学气相沉积(PACVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、脉冲真空弧光等离子体沉积等技术沉积制备。在这些方法中，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法具有沉积温度低，绕镀性好，制备的薄膜均匀致密等诸多特点而成为最常用的方法之一。但是在采用PECVD设备镀制类金刚钻石膜(DLC)时，此类设备的成本高昂，量产能力低，不易实现低成本、大规模生产，仅限于小批量生产或者实验室阶段。

例如，中国专利文献CN 100337881 C公开一种“包覆有DLC薄膜的塑料容器及其制造设备和制作方法”，其中，制造设备包括一个源气体供给装置，其具有一个容器侧电极，该容器侧电极形成了一个用于收容带有颈部的塑料容器的减压腔室的一部分，和一个对应于所述容器侧电极的相对电极，该相对电极被设置在所述塑料容器的内部或者开口上方，所述容器侧电极与相对电极经由一个绝缘体相互面对，该绝缘体也形成了所述减压腔室的一部分，一条源气体进入导管，一个排气装置，以及一个高频电源供给装置，所述容器侧电极被制成使得当所述容器被收容起来时，环绕在容器颈部周围的内壁的平均孔内径小于环绕在容器本体部分周围的内壁的平均孔内径，并且在所述颈部处于一个相对于容器竖直方向的水平横剖面中容器外壁与容器侧电极内壁之间的平均距离被制成大于在所述本体部分处于一个相对于容器竖直方向的水平横剖面中容器外壁与容器侧电极内壁之间的平均距离。此制造设备在对产品镀制DLC膜时，只能单件镀制，不能实现大批量生产，生产效率低，制造成本高。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置，以解决上述技术问题。

为达此目的，本实用新型采用以下技术方案：

提供一种光学级类钻石薄膜间歇式圆筒镀膜装置，包括可抽真空的外筒和设置在所述外筒内的辊筒，所述外筒和所述辊筒同轴且间隔设置，所述辊筒可绕轴线均匀自转，所述外筒与所述辊筒之间的空间形成镀膜腔室，所述镀膜腔室内通入有工艺气体，所述镀膜腔室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室；

在所述外筒的内壁上且绕所述外筒的中心环形均布有至少两个磁控靶，在所述辊筒的外壁上且绕所述辊筒的中心环形均布有若干待镀膜基材，至少三个所述磁控靶在所述外筒内形成一个围绕或局部围绕所述辊筒的闭合的磁场。

通过将PVD和CVD镀膜方式结合应用于DLC膜镀制，同时将待镀膜基材设置在自转辊筒的外壁上，将磁控靶设置在外筒的内壁上，且环形均布的磁控靶形成闭合磁场，可以大面积的对待镀膜基材表面镀制DLC膜，与PECVD单体镀膜设备、激光及离子束沉积设备相比，其性价比突出并且生产成本低廉，量产能力远远高于PECVD等设备的量产能力，提高了生产效率，降低了生产成本。

优选的，所述外筒的内壁上绕其中心环形均布有四个所述磁控靶。

进一步的，所述磁控靶可拆卸设置在所述外筒的内壁。

优选的，所述辊筒的外壁上绕其中心环形均布有十八个所述待镀膜基材。

进一步的，所述待镀膜基材可拆卸设置在所述辊筒上。

进一步的，所述辊筒的外壁上朝向其中心凹设有用于容纳所述待镀膜基材的置放凹槽，所述置放凹槽上设置有防止待镀膜基材脱离其的锁定件。

本方案的镀膜装置主要用于光学器件、平板显示器、保护玻璃及触摸屏产品等表面的镀膜，通过将其镀膜腔室设置为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室，并配合恒速转动的辊筒，可以实现大面积的镀膜生产。