[实用新型]一种OLED器件

说明书

技术领域

 本实用新型属于光电显示技术领域，尤其涉及一种OLED器件。

背景技术

OLED即Organic Light Emitting Diode的英文缩写，译为有机发光二极管。OLED不需背光源、省电、亮度更高、成本更低的特点，使其得到了国内外众多企业的广泛关注。

陆续有厂家把OLED技术应用在数码相机、手机、MP3等数字产品的显示屏幕上，从此OLED显示器的制造和生产呈现出如火如荼、方兴未艾之势。随着OLED技术难点不断被攻克，成本和价格也逐年下降，市场需求也随着迅速升温，应用OLED的终端产品也越来越多。

OLED的发光机理是在外加电场的作用下，电子和空穴分别从正负两极注入有机发光材料，从而在该有机发光材料中进行迁移、复合并衰减而发光。

发明内容

本实用新型的目的是提供一种新型OLED器件。

本实用新型的技术方案是：

一种OLED器件，包括依次排列的ITO阳极、有机功能层和阴极，所述有机功能层由依次排列的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层组成，所述阳极与所述空穴注入层相连，所述电子注入层与所述阴极相连，所述空穴传输层和所述发光层之间还有空穴阻挡层。

优选的，所述空穴阻挡层的厚度为9nm-13nm。

优选的，所述阴极为锂、镁、铝中的任一种。

优选的，所述空穴阻挡层的材料为2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲。

优选的，所述空穴传输层的材料为N,N-二联苯基-4-（4'-溴苯基）苯胺。

优选的，所述N,N-二联苯基-4-（4'-溴苯基）苯胺是以二（4-溴苯基）胺为原料合成的。

上述名词的简称如下：

空穴注入层为HIL，空穴传输层为HTL，发光层为EML，电子传输层为ETL，电子注入层EIL，ITO为铟锡氧化物。

工作原理：

一般来说EML的厚度通常在100nm，虽然制备方法简单，但复合发光区靠近金属电极，且电子和空穴注入不平衡。如何有效地解决电子和空穴的复合区远离电极和平衡载流子注入速率问题，是构造器件应考虑的主要问题。而空穴的注入效率要远高于电子的注入效率，从而造成电子和空穴注入的不平衡，不利于激子的形成。本实用新型采用在HTL和ETL间加入空穴阻挡层来限制空穴的扩散。

本实用新型优点：限制空穴扩散的空穴阻挡层，可以有效地调节载流子的复合区域，保持空穴和电子的平衡，获得所需颜色光的发射。

附图说明

图1为本实用新型示意图。

图1中的标号为：1-ITO阳极，2-空穴注入层，3-空穴传输层，4-空穴阻挡层，5-发光层，6-电子传输层，7-电子注入层，8-阴极。    

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐述本实用新型。应理解，这些实施例仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。此外应理解，在阅读了本实用新型讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本实用新型作各种修改或改动，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。

实施例1

一种OLED器件，包括依次排列的ITO阳极、有机功能层和阴极，所述有机功能层由依次排列的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层组成，所述阳极与所述空穴注入层相连，所述电子注入层与所述阴极相连，所述空穴传输层和所述发光层之间还有空穴阻挡层。

采用AL为阴极，2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲为空穴阻挡层，该材料的CAS号为4733-39-5，可以从市面中购买到。

控制空穴阻挡层的厚度为9nm。

此时，空穴阻挡层有效地阻挡了空穴, 同时还具有适当的最低未占有分子轨道（LUMO） 能级和较高的电子输运能力，以有利于电子的注入，平衡复合区载流子浓度，从而提高器件效率。

同理，本领域的技术人员通过实验可以得出，空穴阻挡层的厚度为10nm、11nm、12nm、13nm时，空穴阻挡层仍然有效地阻挡了空穴。

同理，本领域的技术人员通过实验可以得出，Mg和Li也同样可以作为阴极，并得到较好效果。

所述空穴传输层的材料为N,N-二联苯基-4-（4'-溴苯基）苯胺，CAS号为CAS:728039-63，该产品可以从市面上购买得到，但以二（4-溴苯基）胺为原料合成得到的产品品质最优。