[实用新型]一种新型贴蜡装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种新型贴蜡装置，属于半导体晶片贴蜡抛光领域。

背景技术

半导体行业晶片贴蜡工艺中，需经过贴蜡前加热、上蜡贴片、下蜡三个步骤，晶片贴蜡工艺中陶瓷盘蜡融化后，需将晶片稍微压实，便于晶片的表面全面覆盖上蜡，即晶片贴蜡。晶片均匀分布于陶瓷盘外围，传统晶片贴蜡工艺采用气囊贴蜡的方式。陶瓷盘上蜡熔化后将晶片置于蜡上，气囊置于晶片上部，气囊在气缸推力的作用下缓慢将晶片压实，便于蜡均匀的覆盖晶片表面。但是，气囊为半球形，首先是气囊最底部先接触晶片，且晶片中心部受力最大，易造成晶片破碎；蜡熔化后，利用气缸压力推动气囊压实晶片时，晶片周围空气易造成上蜡气泡,压实晶片过程中会在晶片表面产生气泡；因此，气囊式贴蜡方式不利于晶片贴蜡成品率，增加企业成本。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：为克服上述问题，提供一种采用真空抽取的新型贴蜡装置。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种新型贴蜡装置，包括可转动的陶瓷盘，所述陶瓷盘的上方设置有可在三维空间移动的平胶垫，所述平胶垫下固定设置有真空密封圈，所述真空密封圈侧边设置有多个真空孔，所述真空孔连接真空管的一端，所述真空管的另一端与真空泵连接，所述真空管上还设置有阀门，所述真空密封圈的直径比晶片大1±0.5cm，所述真空密封圈的高度为500±50μm。

优选地，所述平胶垫上侧与气缸的活塞杆顶端固定连接。

优选地，所述平胶垫的直径与所述密封圈尺寸相同。

优选地，所述陶瓷盘下侧的中心点连接驱转电机的输出端。

本实用新型的有益效果是：本实用新型结构简单，采用抽真空方式，使晶片受力均匀，避免晶片破损，提高成品率；真空方式抽取晶片周围空气，避免晶片贴蜡出现气泡现象，保障晶片与蜡完全贴合，彻底去除晶片贴蜡工艺过程中出现的气泡，保证晶片平整度，提高晶片成品率；适合所有晶片上蜡工艺，特别是薄片工艺。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型一个实施例的主视图；

图2是本实用新型所述真空密封圈的剖视图。

图中标记：1-陶瓷盘，2-腊层，3-晶片，4-真空密封圈，5-平胶垫，6-气缸，7-真空泵，8-真空管，41-真空孔。

具体实施方式

现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1所示的本实用新型所述一种新型贴蜡装置，包括可转动的陶瓷盘1，所述陶瓷盘1采用现有的驱转方法进行转动，所述陶瓷盘1的上方设置有在三维空间移动的平胶垫5，所述平胶垫5的移动为可控制的精确移动，可通过常规的X轴、Y轴和Z轴导轨实现三维空间的运动，所述平胶垫5下固定设置有真空密封圈4，所述真空密封圈4侧边设置有多个真空孔41，如图2所示，所述真空孔41连接真空管8的一端，所述真空管8的另一端与真空泵7连接，真空泵7用于将真空密封圈4里抽真空，所述真空管8上还设置有阀门，所述真空密封圈4的尺寸可根据晶片3尺寸设计，其直径比相应晶片3的直径大1±0.5cm，晶片3的尺寸规格为现有的公知技术，所述真空密封圈4的高度为500±50μm，在压制时所述真空密封圈4可以将晶片3完全覆盖住。

在优选的实施方案中，所述平胶垫5上侧与气缸6的活塞杆顶端固定连接，通过气缸6伸缩控制所述平胶垫5的上下移动，但不限于使用气缸6。

在优选的实施方案中，所述平胶垫5的直径与密封圈同尺寸。

在优选的实施方案中，所述陶瓷盘1下侧的中心点连接驱转电机的输出端。

一种采用以上所述新型贴蜡装置的加工方法，包括以下步骤：

(1)将所述陶瓷盘1上放置的蜡熔化后，优选地形成极薄的一层液态腊层2，再将晶片3置于所述蜡层上；

(2)所述平胶垫5向下移动，优选的使用所述气缸6推动所述平胶垫5向下移动，使所述真空密封圈4完全覆盖住晶片3；

(3)打开所述真空管8上的阀门，利用所述真空泵7抽真空，抽走所述晶片3周围的空气，形成真空空间；

(4)在抽真空的同时，所述平胶垫5继续向下运动，使平胶垫5与晶片3完全贴合，使晶片3与蜡层充分接触；

(5)晶片3上蜡过程极短，约2～4秒，所述平胶垫5带动所述真空密封圈4向上运动；