[实用新型]聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板有效
| 申请号： | 201420597193.9 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN204291586U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 金壬海 | 申请（专利权）人： | 浙江九通电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/16 | 分类号： | H05K1/16 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郭晓华 |
| 地址： | 314107 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚酰亚胺 泡沫 基材 ito 电路板 | ||
【权利要求书】：
1.一种聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板，其特征在于：包括基层及ITO薄膜层，其中，所述ITO薄膜层由氧化铟锡材料制成，所述基层为采用聚酰亚胺泡沫为基材制成的基板；所述ITO薄膜层涂覆在所述基层上，所述ITO薄膜层上形成有电路图形，并且所述ITO薄膜层还在所述电路图形中对应电阻图形形成有电阻。
2.如权利要求1所述的聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板，其特征在于：所述电阻的材质为ITO材料。
3.如权利要求2所述的聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板，其特征在于：所述ITO薄膜层在所述电路图形中对应的电阻图形通过蚀刻工艺形成所述电阻。
4.如权利要求2所述的聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板，其特征在于：所述ITO薄膜层在所述电路图形中对应的电阻图形通过溅射工艺形成所述电阻。
5.如权利要求1所述的聚酰亚胺泡沫基材ITO电路板，其特征在于：所述ITO薄膜层通过溅射工艺形成在所述基层上。
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