[实用新型]一种板式PECVD的特气管路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种板式PECVD的特气管路。

背景技术

板式PECVD镀膜设备是石英管在两端通微波源，表面抽真空的条件下将氨气和硅烷分解成高能离子状态，经过一系列化学反应，在硅片表面沉积氮化硅固态薄膜，同时分解出来的氢离子，将硅片表面原有缺陷钝化的设备。随着晶体硅电池品质和光电转换效率的不断提升，传统的一层镀膜工艺已经不能满足工艺要求，两层、三层及更多层减反射膜工艺成为了晶体硅电池镀膜工艺研究的主流方向。原来板式PECVD镀膜设备是只有两组气路（如图1），每组特气管路包含两个质量流量控制器（MFC），分别控制氨气和硅烷的气体流量。如图1所示，每组特气管路分别控制4组共8组特气孔1、2、3、4、5、6、7和8（4-4模式），每组特气孔1、2、3、4、5、6、7或8包含2个硅烷特气孔9和一个氨气特气孔10。这样4组特气孔由一组两个MFC控制，不能保证进入到设备中每小组的气体流量的均匀性和可分配性；由于现有PECVD设备工艺参数调整范围的局限性和供气的均匀性差，使其镀出的每层膜的膜厚较厚，一般每层膜的膜厚均在30~45nm之间，其只能实现双层镀膜，对于三层及更多层减反射膜则由于对每层膜的厚度要求更薄，更不能保证每层膜厚薄的要求和均匀性，所以，采用现有特气管路控制供气基本不能实现，不能再提高电池的转化效率；且即便两层膜由于进气均匀性差，膜的颜色均匀性不好控制，造成成品良率降低，增加了生产成本。

发明内容

本实用新型的目的就是解决现有技术中存在的上述问题，提供一种板式PECVD的特气管路，该特气管路供给板式PECVD设备中每小组的气体流量更加均匀，也增加了设备工艺参数的调整范围，能够实现三层及更多层减反射膜的镀膜工艺，提高了电池的转化效率，且膜的颜色均匀性好，成品良率高，显著降低了电池片的生产成本。

为完成上述目的，本实用新型的技术解决方案是：一种板式PECVD的特气管路，其包含三组气路，每组气路上设置两个质量流量控制器MFC，前面两组气路上每组设置两组特气孔，后面一组气路上设置四组特气孔，每组特气孔包含两个硅烷特气孔和一个氨气特气孔。

由于本实用新型采用了上述方案，将板式PECVD的特气管路按照上述连接方式连接好，将八组特气孔由三组质量流量控制器MFC控制，第一二组特气孔由一组MFC控制，第三四组特气孔由一组MFC控制，后四组特气孔由一组MFC控制，这样就增加了前四组特气孔进入氨气和硅烷流量的均匀性和稳定性；且三个质量流量控制器MFC独立控制，增加了设备工艺参数的调整范围，能够实现三层及更多层减反射膜的镀膜工艺，提高了电池的转化效率，成品电池的转换效率提升了0.2~0.3%，进而节约了生产成本。且膜的颜色均匀性好，成品良率高，显著降低了电池片的生产成本。

附图说明

图1为现有的板式PECVD的特气管路的结构示意图；

图2为本实用新型的板式PECVD的特气管路的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施实例对本实用新型作进一步的描述。

如图2所示，本实施例包含三组气路11、12和13，每组气路11、12或13上设置两个质量流量控制器MFC，前面第一组11和第二组12气路上每组设置两组特气孔：第一组11上设置第一组、第二组特气孔1和2，第二组12上设置第三组、第四组特气孔3和4，后面一组气路13上设置四组特气孔：第五至第八组特气孔5、6、7和8，每组特气孔1、2、3、4、5、6、7或8包含两个硅烷特气孔9和一个氨气特气孔10。

具体的管路连接：氨气NH3气源通过氨气总管道由四通分为三路氨气分管道，每路氨气分管道上安装一个质量流量控制器MFC；前面第一路的氨气分管道的出口分别连接一组和二组1和2氨气特气孔10，第二路的氨气分管道的出口分别连接三组和四组3和4的氨气特气孔10，最后一路氨气分管道的出口分别连接五组至八组5、6、7和8的氨气特气孔10。硅烷SiH4气源通过氨气总管道由四通分为三路硅烷分管道，每路硅烷分管道上安装一个质量流量控制器MFC；前面第一路的硅烷分管道的出口分别连接一组和二组1和2的硅烷特气孔9，第二路的硅烷分管道的出口分别连接三组和四组3和4的硅烷特气孔9，最后一路硅烷分管道的出口分别连接五组至八组5、6、7和8的硅烷特气孔9。每组特气孔包含两个硅烷特气孔9和一个氨气特气孔10。

当然，本实用新型还有其它多种实例，在不违背本实用新型精神和实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本实用新型做出等同技术的改变和变形，这些等同技术的改变和变形都应在本实用新型权利要求的保护范围内。