[实用新型]一种焊垫结构有效
| 申请号： | 201420600038.8 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN204230230U | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王昆;仝海跃;张京晶 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种焊垫结构，形成于芯片的顶层金属层上，其特征在于，所述焊垫结构至少包括：焊垫主体和形成在所述焊垫主体至少一侧的金属缓冲线结构。
2.根据权利要求1所述的焊垫结构，其特征在于：所述金属缓冲线结构为形成在所述焊垫主体至少两侧的连续结构。
3.根据权利要求2所述的焊垫结构，其特征在于：所述金属缓冲线结构为形成在所述焊垫主体四周的封闭结构。
4.根据权利要求1所述的焊垫结构，其特征在于：所述金属缓冲线结构形成于与所述焊垫主体处于同一层面的钝化层中。
5.根据权利要求1所述的焊垫结构，其特征在于：所述金属缓冲线结构为形成在所述焊垫主体至少两侧的非连续结构。
6.根据权利要求2或5所述的焊垫结构，其特征在于：从所述焊垫主体向外数，所述金属缓冲线结构为至少一层，每一层金属缓冲线结构之间的间隔为几个微米。
7.根据权利要求1所述的焊垫结构，其特征在于：所述金属缓冲线结构的材料为铜或者铝。
8.根据权利要求4所述的焊垫结构，其特征在于：所述钝化层包括SiN和SiO2。
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