[实用新型]一种高压快恢复二极管芯片有效
| 申请号： | 201420600978.7 | 申请日： | 2014-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN204144270U | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 孙澜;单慧;朱军;刘韵吉;杨敏红 | 申请（专利权）人： | 桑德斯微电子器件（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 蒋海军 |
| 地址： | 211113 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高压 恢复 二极管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种高压快恢复二极管芯片，包括芯片(1)，其特征在于：还包括N+截止环(2)、表面特殊钝化层(3)和P+阳极(4)，所述的芯片(1)为快恢复二极管芯片；芯片截层从下向上依次为芯片(1)、N+截止环(2)、表面特殊钝化层(3)和P+阳极(4)。
2.根据权利要求1所述的一种高压快恢复二极管芯片，其特征在于：所述的特殊钝化层(3)包含电场限制环。
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