[实用新型]全局曝光方式的图像传感器像素结构

权利要求书

1.一种全局曝光方式的图像传感器像素结构，包括置于半导体基体中的光电二极管、第一电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区，其特征在于，还包括第二电荷传输晶体管，所述第一电荷传输晶体管与第二电荷传输晶体管之间设有晶体管电容；

所述晶体管电容的沟道位于N型离子区中，所述晶体管电容的源漏有源区的硅表面设置有P+型保护层，所述P+型保护层的下方为N型离子区。

2.根据权利要求1所述的全局曝光方式的图像传感器像素结构，其特征在于，所述第一电荷传输晶体管与所述光电二极管相连，所述第二电荷传输晶体管与所述漂浮有源区相连，所述晶体管电容的上方设有遮光金属。

3.根据权利要求2所述的全局曝光方式的图像传感器像素结构，其特征在于，所述光电二极管为N型光电二极管，所述第一电荷传输晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、第二电荷传输晶体管为N型晶体管。

4.根据权利要求3所述的全局曝光方式的图像传感器像素结构，其特征在于，所述晶体管电容的栅极多晶硅位于有源区的内部，且与浅槽隔离区隔开，所述栅极多晶硅与所述浅槽隔离区的距离大于等于0.1um，所述栅极多晶硅的面积大于等于0.01um²。

5.根据权利要求4所述的全局曝光方式的图像传感器像素结构，其特征在于，所述N型离子区为第一电荷传输晶体管的漏极、第二电荷传输晶体管的源极，所述N型离子区与所述浅槽隔离区隔开，两者距离为0.05um～0.2um，所述N型离子区的深度小于等于0.5um；

所述P+型保护层覆盖所述晶体管电容的沟道之外的N型离子区，并且与所述浅槽隔离区接触，其厚度为0um～0.3um。