[实用新型]一种电流模可变增益放大器

权利要求书

1.一种电流模可变增益放大器，其特征在于：包括可变增益电路、功能数字控制逻辑电路以及直流失调校准电路；所述可变增益电路包括四级电流全差分可编程放大器，第一级电流全差分可编程放大器的输入端作为电流模可变增益放大器的输入端，第四级电流全差分可编程放大器的输出端作为电流模可变增益放大器的输出端；所述功能数字控制逻辑电路用于控制所述可变增益电路的增益分贝数；所述直流失调校准电路将所述第四级电流全差分可编程放大器输出的低频信号反馈到第一级电流全差分可编程放大器的输入端，构成负反馈环路。

2.根据权利要求1所述的一种电流模可变增益放大器，其特征在于：所述单级电流全差分可编程放大器由两个对称的单端输入差分输出的电流跟随器反向连接构成；每个电流跟随器包括M1至M19的MOS管、偏置电流源I_BIAS以及第一至第六CDN单元；其中，M1至M19为单个MOS管，M11、M13、M19均为每组包括若干个PMOS管的三组MOS管，M10、M12、M18、均为每组包括若干个NMOS管的三组MOS管； PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M9、PMOS管M11、PMOS管M13、PMOS管M15、PMOS管M17以及PMOS管M19的源极均接地，NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M10、NMOS管M12、NMOS管M14、NMOS管M16、NMOS管M18的源极以及PMOS管M8的漏极均连接外部高电平VDD；PMOS管M1的栅极连接其漏极，偏置电流源I_BIAS连接在PMOS管M1的漏极以及NMOS管M5的漏极之间；偏置电压源连接在NMOS管M5的漏极和PMOS管M1的漏极之间，NMOS管M6的漏极连接PMOS管M3的漏极，PMOS管M3的源极连接直流电平V_CM；NMOS管M7的漏极连接PMOS管M4的漏极，PMOS管M4的源极连接PMOS管M2的漏极；PMOS管M3和PMOS管M4的栅极连接并连接到NMOS管M6的漏极；NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7的栅极均连接到NMOS管M5的漏极；PMOS管M8的源极连接PMOS管M9的漏极，PMOS管M9的栅极连接外部偏置电压源V_BIAS；NMOS管M10的漏极连接第一CDN单元的第一端，第一CDN单元的第二端的输入端连接第二CDN单元的第一端，第二CDN单元的第二端连接PMOS管M11的漏极；NMOS管M12的漏极连接第三CDN单元的第一端，第三CDN单元的第二端的输入端连接第四CDN单元的第一端，第四CDN单元的第二端连接PMOS管M13的漏极；NMOS管M14的漏极连接PMOS管M17的漏极，NMOS管M16的漏极连接PMOS管M175的漏极，NMOS管M18的漏极连接第五CDN单元的第一端，第五CDN单元的第二端连接第六CDN单元的第一端，第六CDN单元的第二端连接PMOS管M19的漏极；PMOS管M8、NMOS管M10、NMOS管M12、NMOS管M14的栅极均连接NMOS管M7的漏极，MOS管M16和NMOS管M18的栅极均连接MOS管M16的漏极，PMOS管M1和PMOS管M2的栅极均连接PMOS管M1的漏极，PMOS管M11、PMOS管M13、PMOS管M15的栅极均连接PMOS管M9的漏极，PMOS管M17和PMOS管M19的栅极均连接PMOS管M17的漏极，PMOS管M4的源极连接第一CDN单元的第一端并作为电流跟随器的输入端，第三CDN单元和第四CDN单元的连接点作为电流跟随器的同相输出端，第五CDN单元和第六CDN单元的连接点作为电流跟随器的反相输出端。

3.根据权利要求1所述的一种电流模可变增益放大器，其特征在于：所述直流失调校准电路与可变增益电路构成一阶低通反馈网络；所述直流失调校准电路包括一个全差分电流接续器、两个有源电阻以及电阻R2；所述全差分电流接续器的差分输入端分别串联一个有源电阻后连接所述可变增益电路的输出端；所述电阻R2连接全差分电流接续器，构成全差分线性跨导，通过调节电阻R2的大小来调节直流失调校准电路反馈到所述可变增益电路输入端信号的大小，所述跨导大小为                                                ；所述反馈网络的传递函数为：

其中，为可变增益放大器极点频率；为在0频率的值。