[实用新型]高分子压电薄膜位移传感器有效
| 申请号： | 201420610372.1 | 申请日： | 2014-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN204100989U | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 杨素娟;徐艳芳 | 申请（专利权）人： | 杨素娟 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 刘珍 |
| 地址： | 610100 四川省成都市龙泉*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高分子 压电 薄膜 位移 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.高分子压电薄膜位移传感器，其特征在于：包括基座(1)，振动件(3)的一端固定安装在基座(1)上为固定端，另一端为自由端，固定端设置有PVDF薄膜(2)。
2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于：所述PVDF薄膜(2)为三角形。
3.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于：所述三角形的底边与固定端端头边缘重合。
4.根据权利要求3所述的传感器，其特征在于：底边长度为3/5固定端端头边缘长度。
5.根据权利要求2所述的传感器，其特征在于：所述三角形的高度为1/2振动件(3)长度。
6.根据权利要求2或5所述的传感器，其特征在于：所述三角形为等腰三角。
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