[实用新型]显示基板和显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板和显示装置。

背景技术

液晶显示技术广泛应用于电视、手机以及公共信息显示等领域，液晶显示主要可以分为扭曲向(Twisted Nematic，简称：TN)模式、垂直排列(Vertical-aligned，简称：VA)模式、面内开关(in-plane switching，简称：IPS)模式。其中VA模式的液晶具有高对比度，并且在一个像素内可实现8畴液晶排列，以得到宽视角，从而在大尺寸液晶显示方面得到了广泛应用。图1为现有技术中液晶显示装置的电路原理图，如图1所示，在栅线GLn的开启时间段内，第一薄膜晶体管T1导通，数据线DL上的数据电压Vdata通过第一薄膜晶体管T1对第一存储电容CSTa充电；第二薄膜晶体管T2导通，数据线DL上的数据电压Vdata通过第二薄膜晶体管T2对第二存储电容CSTb充电，在栅线GLn+1的开启时间段内，第三薄膜晶体管T3导通，第一存储电容CSTa上的电荷向Cd充电，使得第二存储电容CSTb上的电荷Qb要大于第一存储电容CSTa上的电荷Qa。因此在适当设置CSTa和CSTb时，例如在CSTa等于CSTb时，第二亚像素电极PEb的电压Vb要大于第一亚像素电极PEa的电压Va。通常，要求第一亚像素电极PEa上的电压Va和第二亚像素电极PEb上的电压Vb满足关系0.6Vb<Va<0.9Vb。

在第一薄膜晶体管T1对第一存储电容CSTa充电，第二薄膜晶体管T2对第二存储电容CSTb充电,第三薄膜晶体管T3的栅极连接下一行栅线GLn+1，第三薄膜晶体管T3的源极连接第一存储电容CSTa，第三薄膜晶体管T3的漏极连接Cd，且第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3导通时，它们处于饱和态时，每个薄膜晶体管的Vgs-Vth>Vdata，Vgs为薄膜晶体管的栅极与源极之间的电压，Vth为薄膜晶体管的阈值电压。则薄膜晶体管的电流I＝(1/2)Cox(W/l)(Vgs-Vth)2，其中，Cox为栅单位面积的电容，W/l为沟道宽长比，因此，在W/l固定的情况下，充电电流是一定的，在第一亚像素电极PEa的存储电容CSTa和第二亚像素电极PEb的存储电容CSTb固定的情况下，Va与Vb之间的关系式固定的，即：Vb-Va＝c，其中c是一个常量。对于一个液晶显示装置来讲，8畴液晶显示装置的视角与液晶材料、像素结构、像素电极形状、驱动方法有关，采用相邻的两条栅线对亚像素进行控制会获得一个固定的Vb-Va，而一个固定Vb-Va使得液晶显示装置很难获得较佳的显示视角。

实用新型内容

本实用新型提供一种显示基板和显示装置，用于使得显示装置获得较佳的显示视角。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种显示基板，包括：第一衬底基板和位于所述第一衬底基板之上的栅线、数据线和公共电极线，多个像素单元，所述像素单元包括第一亚像素电极、第二亚像素电极、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，所述第一亚像素电极和所述第二亚像素电极之间设置有电荷调节控制线和所述栅线，所述第一薄膜晶体管与所述栅线、所述数据线和所述第一亚像素电极连接，所述第二薄膜晶体管与所述栅线、所述数据线和所述第二亚像素电极连接，所述第三薄膜晶体管与所述电荷调节控制线、所述第一亚像素电极和所述公共电极线连接。

可选地，所述公共电极线包括第一公共电极线和第二公共电极线，所述第一公共电极线包括与栅线平行的第一部分以及与数据线平行的第二部分和第三部分，所述第二公共电极线包括与栅线平行的第四部分以及与数据线平行的第五部分和第六部分；

所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分与所述第一亚像素电极部分重叠，以形成第一存储电容；所述第四部分、第五部分和第六部分与所述第二亚像素电极部分重叠，以形成第二存储电容。

可选地，所述第一亚像素电极包括第一根茎部、第二根茎部和多个第一分支部，所述第一分支部与所述第一根茎部或者所述第二根茎部连接，所述第一根茎部与所述栅线平行，所述第二根茎部与所述数据线平行，相邻的所述第一分支部之间形成有狭缝；

所述第二亚像素电极包括第三根茎部、第四根茎部和多个第二分支部，所述第二分支部与所述第三根茎部或者所述第四根茎部连接，所述第三根茎部与所述栅线平行，所述第四根茎部与所述数据线平行，相邻的所述第二分支部之间形成有狭缝。

可选地，所述第一薄膜晶体管的沟道宽长比大于所述第三薄膜晶体管的沟道宽长比。

可选地，所述第一薄膜晶体管的沟道宽长比等于所述第二薄膜晶体管的沟道宽长比。