[实用新型]一种高效率F类/逆F类功率放大器

权利要求书

1.一种高效率F类/逆F类功率放大器，包括：晶体管、寄生补偿电路、输出端谐波控制电路、输出基波阻抗匹配电路；其特征在于：

所述谐波控制电路位于寄生补偿电路和输出基波阻抗匹配电路之间，所述寄生补偿电路位于晶体管和谐波控制电路之间，其中，所述谐波控制电路由三段微带构成，所述寄生补偿电路由L型微带结构构成；

对于固定的工作频率，所述谐波控制电路对于F类和逆F类功率放大器是相同的，并在所述谐波控制电路的输入端形成二次谐波短路点和三次谐波开路点；

晶体管寄生参数模型包含晶体管漏极和源极之间的寄生电容、寄生电感和封装寄生电容；

对F类功率放大器，所述寄生补偿电路的L型微带中的传输线TL1的电长度θ₁和传输线TL2的电长度θ₂利用以下公式求解得到：

θ1=12[arctan(2ω0LdZ0(4ω02LdCp-1))+nπ]]]>

θ2=13[arctan(3ω0Z0(9ω02CdsLdCp-Cds-Cp)1-9ω02DdsLd)+nπ]-θ1]]>

对逆F类功率放大器，所述寄生补偿电路的L型微带中的传输线TL1和的电长度θ₁和传输线TL2的电长度θ₂利用以下公式求解得到：

θ1=12[arctan(1-4ω02CdsLd2ω0Z0(Cds+Cp-4ω02CdsLdCp))+nπ]]]>

θ2=13[arctan(Z03ω0Ld-Z0ω0Cp)+nπ]-θ1]]>

上述四个公式中，n为整数，Z₀为微带的特征阻抗，单位为Ω；ω₀为基波角频率，单位为rad/s；C_ds为寄生电容，单位为pF；L_d为寄生电感，单位为nH；C_p为封装寄生电容，单位为pF；

实际设计时，L型微带中的传输线TL1的电长度θ₁和传输线TL2的电长度θ₂分别取大于零的最小值。